1) the modified potential barrier
有效势垒
2) effective barrier height
有效势垒高度
1.
It was shown that the carriers hopping distance, the effective barrier height and the electric field contribution had heavy effects on recombination efficienc.
复合效率及复合电流由载流子跳跃距离、有机层界面的有效势垒高度及该界面处的电场强度分布所决定 :在双层器件ITO α NPD Alq3 Al中 ,当所加电压小于 19 5V时 ,复合效率随着载流子跳跃距离的增加而增加 ,而大于 19 5V时 ,复合效率随着其距离的增加而减少 ;复合效率随着有机层界面有效势垒高度的增加而增加 ;有机层界面电场强度突变程度增大时 ,复合效率增大 ,但当界面两侧电场强度差值达到 2 4× 10 5V cm时 ,复合效率反而减少 。
3) HBE
势垒效应
1.
Based on the known model of the base transit time of SiGe HBT, the effect of heterojunction barrier effects(HBE) on the base transit time is considered and calculated.
在已有的SiGe HBT基区渡越时间模型的基础上,考虑了势垒效应对其产生的影响以及与基区Ge分布的关系。
2.
Moreover,small Ge fraction grading can t alleviate the HBE effectively,and Ge introduced into the collector can delay the HBE.
讨论了基区Ge分布、集电极电流密度对势垒高度的影响,分析了减弱势垒效应的方法。
4) equivalent barrier
等效势垒
1.
In this paper, the definition and property of equivalent barrier are given.
本文给出等效势垒的概念及性质，利用等效势垒的性质可以使量子隧穿中的 有关问题更容易解决。
5) area of effective tunneling barrier
有效隧穿势垒面积
6) effective energy barrier
有效能垒
1.
The nonisothermal crystallization kinetics of PP/nano-SiO2 composites was studied using differential scanning calorimetry(DSC),the nucleation activity of silica nanoparticles in the polymer matrix and the effective energy barrier for nonisothermal crystallization were explored.
采用差示扫描量热法研究了聚丙烯(PP)/纳米SiO2复合材料的非等温结晶动力学,研究了纳米粒子的成核活性及复合材料的结晶有效能垒。
补充资料：pn结势垒（barrierofp-njunction）
pn结势垒（barrierofp-njunction）
pn结的空间电荷区中，存在由n边指向p边的自建电场。因此，自然形成n区高于p区的电势差Vd。相应的电子势能之差即能带的弯曲量qVd称为pn结的势垒高度。pn结的p区和n区的多数载流子运动时必须越过势垒才能到达对方区域，载流子的能量低于势垒高度，就被势垒阻挡而不能前进，这个垫垒叫做pn结势垒。pn结的势垒高度与两边半导体中的杂质浓度及其分布、温度以及半导体材料的禁带宽度Eg有关。除pn结势垒外，还有金属与半导体接触的接触势垒（肖特基势垒）、半导体表面形成的表面势垒等。势垒高度受外加电场的影响，当外加电场削弱势垒区中电场时，势垒降低，载流子容易通过；外加电场加强势垒区的电场时，势垒高度升高，载流子不易通过。利用pn结势垒这一特性可制成整流、检波等多种半导体器件。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条