1) nuclear potential barrier channel effect
核势垒隧道效应
1.
In nuclear physics he proposed the well known “nuclear potential barrier channel effect” and the Gamow-Teller transition probability of beta decay.
在核物理学领域 ,他提出了著名的“核势垒隧道效应”和 β衰变的伽莫夫 -泰勒选择定则 。
2) nuclear tunneling effects
核隧道效应
3) HBE
势垒效应
1.
Based on the known model of the base transit time of SiGe HBT, the effect of heterojunction barrier effects(HBE) on the base transit time is considered and calculated.
在已有的SiGe HBT基区渡越时间模型的基础上,考虑了势垒效应对其产生的影响以及与基区Ge分布的关系。
2.
Moreover,small Ge fraction grading can t alleviate the HBE effectively,and Ge introduced into the collector can delay the HBE.
讨论了基区Ge分布、集电极电流密度对势垒高度的影响,分析了减弱势垒效应的方法。
4) tunneling barrier model
隧道势垒模型
1.
We constructed a strain sensitive model through the analysis of the Ru-based thick film strain resistor s tunneling barrier model.
通过分析钌基厚膜应变电阻的隧道势垒模型,提出力敏模型。
5) tunneling effect
隧道效应
1.
Conductivity model of carbon fiber reinforced cement composite based on tunneling effect;
基于隧道效应的CFRC材料的导电模型
2.
Anomalous hopping and tunneling effects on the conductivity of a wedge-shaped Au film system;
楔形金薄膜系统中的反常跳跃电导和隧道效应
3.
The transport properties of carbon fiber reinforced cement-based composites (CFRC) subjected to an external electric field were studied according to the conductivity model of CFRC based on the tunneling effect.
以隧道效应理论为基础,建立了碳纤维增强水泥基复合材料(carbon fiber reinforced cement-based composites,CFRC)导电模型。
6) tunnelling effect
隧道效应
1.
With discussion on tunnelling effect of ZnO varistors, a new model is proposed, which can depict barriers stagger near the grains of ZnO varistors.
根据氧化锌压敏电阻的微观结构,提出了势垒交错导致共振隧穿的模型,并运用传递矩阵法合理地解释了ZnO压敏电阻的隧道效应,所得的隧穿电流符合实际 ZnO压敏电阻在击穿区的温度特性。
补充资料：pn结势垒（barrierofp-njunction）
pn结势垒（barrierofp-njunction）
pn结的空间电荷区中，存在由n边指向p边的自建电场。因此，自然形成n区高于p区的电势差Vd。相应的电子势能之差即能带的弯曲量qVd称为pn结的势垒高度。pn结的p区和n区的多数载流子运动时必须越过势垒才能到达对方区域，载流子的能量低于势垒高度，就被势垒阻挡而不能前进，这个垫垒叫做pn结势垒。pn结的势垒高度与两边半导体中的杂质浓度及其分布、温度以及半导体材料的禁带宽度Eg有关。除pn结势垒外，还有金属与半导体接触的接触势垒（肖特基势垒）、半导体表面形成的表面势垒等。势垒高度受外加电场的影响，当外加电场削弱势垒区中电场时，势垒降低，载流子容易通过；外加电场加强势垒区的电场时，势垒高度升高，载流子不易通过。利用pn结势垒这一特性可制成整流、检波等多种半导体器件。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条