1) power MOSFET
功率MOS器件
1.
A new model is established to make simulation for single event gate rupture of power MOSFETs in use of PSPICE circuit simulation software.
建立了功率MOS器件单粒子栅穿效应的等效电路模型和相应的模型参数提取方法 ,对VDMOS器件的单粒子栅穿效应的机理进行了模拟和分析 ,模拟结果与文献中的实验数据相符合 ,表明所建立的器件模型和模拟方法是可靠
2.
A new model is established to perform simulation for Single\|Event Gate\|Rupture of power MOSFETs in use of PSPICE circuit simulation software.
根据电路模拟软件PSPICE内建元器件模型 ,建立了功率MOS器件单粒子栅穿效应的等效电路模型和模型参数提取方法 ,对VDMOS器件的单粒子栅穿效应机理进行了电路模拟和分析 ,模拟结果与文献中的实验数据相符合 ,表明所建立的等效电路模拟方法是可靠
2) power MOSFET
功率MOS管
1.
Some problems are discussed with the proposed circuit,such as the floating gate drive for the power MOSFET,the dead time setup of the complementary PWM outputs,the reasons to form the oscillation and the way to opti.
结合设计的控制驱动电路,讨论了功率MOS管栅极浮置驱动、互补脉宽调制死区时间设置的问题,分析了驱动电路中振荡产生的原因,并给出优化方法。
3) MOS power transistor
MOS功率管
1.
Analysis is made on switching properties and drive mechanism for MOS power transistor based on classical circuit theory.
运用经典电路理论 ,对MOS功率管的开关特性、驱动原理进行了分析 ,导出了应用MOS功率管实现高速大电流开关应遵从的原则和方法 ,并成功地实现了光脉冲上升时间小于 5ns、下降时间小于 10ns ,驱动电流达 10～ 5 0AP -P激光器电源的要
4) power MOS
功率MOS
1.
To make sure the reliability of work and depress the cost, a reliable and low cost NDE (Nondestructive evaluation) method is badly needed to evaluate the endurance of power MOS device which is going to be .
功率MOS器件,特别是VDMOS器件与现在高度发展的超大规模集成电路(VLSI)工艺相容,发展迅速,已经成为电力电子器件发展的主流。
5) MOS device
MOS器件
1.
Application of 1/f noise in monitoring electrostatic latent damage in MOS devices;
MOS器件静电潜在损伤的1/f噪声监测方法
2.
Measurement of total dose effects on MOS devices and circuits;
MOS器件及电路的总剂量辐射效应测试技术
3.
Research on applocation of 1/f noise in detecting latent damage in MOS devices;
MOS器件潜在损伤的1/f噪声检测方法研究
6) MOSFET
['mɔsfet]
MOS器件
1.
Theoretic Research on Time-Dependent Radiation Response of MOSFET;
MOS器件时间关联辐射响应的理论研究
2.
MOSFET gate oxide layer anti-breakdown effect of HPM;
MOS器件的栅氧化层抗HPM击穿效应的研究
3.
Plasma process Induced damage to MOSFET device;
MOS器件中的等离子损伤
补充资料：大功率电力电子器件
大功率电力电子器件
power electronic devices
dagonglU dlonl一d.Qnz一ql]lon大功率电力电子器件(powe:eleetroniedevices)用于处理大容t电功率、能够控制电路通断的电子器件。由于都是半导体器件，故又称电力半导体器件(power semieonduetor deviees)。电力半导体器件是在20世纪50年代初发展起来的半导体学科中与徽电子、光电子并肩迅猛发展的一门高技术。它是电力电子技术的基础和重要组成部分。随着电力半导体器件品种的增多和技术水平的提高，它的应用范围也日渐扩大。其应用范围涉及电力工业(如直流愉电、灵活交流粉电系统)、工业电源(如感应加热、电焊机、大型电解电被设备)、交通运物(如机车牵引、电动汽车)、电机控制(如发电机励磁、交直流电动机的调速)、家用电器(如空调、电热)、通信电源等等。应用领城的佑求(如节能、节材、缩小体积重且)，要求器件的工作叔率、结构以及封装方式等不断扩大及更新，又促进了器件品种和水平的发展。 由于电力半导体器件处理的是能源，减少损耗提高效率是它主要追求的目标.为此，所有电力半导体器件无不工作在开关方式下，这是它与徽电子器件的根本区别.但在组成电路时又需要采取措施对开关方式带来的波形毛刺及谐波等电网公害进行处理。 1947年第一只晶体管的诞生开始了半导体电子学的新纪元。1956年研制成带有开关特性的晶闸管，为半导体在功率控制领域的发展显示了光明的前景。最早发展起来的器件有整流二极管(rectifier diode)和晶闸管(t ransistor)。它们曾经主宰电力电子市场20余年.其品种、规格为了适应市场的需要已经发展成一个魔大的系列。以晶闸管为例，已经派生出高压大电流晶闸管、光控晶闸管、高频快速晶闸管、逆导晶闸管、双向晶闸管、门极辅助关断晶闸管、非对称晶闸管等等。这些器件的功能只限于用门极控制电路的开通，故名半控型.自20世纪70年代末开始，由于采用了徽电子技术的工艺成就，制成了大功率晶体管(gianttransistor，GTR)和可关断晶闸管(gate turn一offthyristor，GTO)。这一类器件既能用门极控制开通又能控制关断，故名全控型. 上述器件都是以电子和空穴两种载流子的运动为基础的，所以这类器件被称为双极型器件(bipo肠rdevices)。由于器件工作时两种载流子的产生与复合描要时间，妨碍了器件工作频率的进一步提高。双极型器件一般只能工作在10kH:以下，最高的也只能工作到20~sokH:。由于技术发展，要求其颇率范围日益扩大。
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参考词条