1) V-MOS FET
V-MOS功率管
2) power MOSFET
功率MOS管
1.
Some problems are discussed with the proposed circuit,such as the floating gate drive for the power MOSFET,the dead time setup of the complementary PWM outputs,the reasons to form the oscillation and the way to opti.
结合设计的控制驱动电路,讨论了功率MOS管栅极浮置驱动、互补脉宽调制死区时间设置的问题,分析了驱动电路中振荡产生的原因,并给出优化方法。
3) MOS power transistor
MOS功率管
1.
Analysis is made on switching properties and drive mechanism for MOS power transistor based on classical circuit theory.
运用经典电路理论 ,对MOS功率管的开关特性、驱动原理进行了分析 ,导出了应用MOS功率管实现高速大电流开关应遵从的原则和方法 ,并成功地实现了光脉冲上升时间小于 5ns、下降时间小于 10ns ,驱动电流达 10～ 5 0AP -P激光器电源的要
4) great power MOSFET
大功率MOS管
5) power MOS
功率MOS
1.
To make sure the reliability of work and depress the cost, a reliable and low cost NDE (Nondestructive evaluation) method is badly needed to evaluate the endurance of power MOS device which is going to be .
功率MOS器件,特别是VDMOS器件与现在高度发展的超大规模集成电路(VLSI)工艺相容,发展迅速,已经成为电力电子器件发展的主流。
6) power MOSFET
功率MOS器件
1.
A new model is established to make simulation for single event gate rupture of power MOSFETs in use of PSPICE circuit simulation software.
建立了功率MOS器件单粒子栅穿效应的等效电路模型和相应的模型参数提取方法 ,对VDMOS器件的单粒子栅穿效应的机理进行了模拟和分析 ,模拟结果与文献中的实验数据相符合 ,表明所建立的器件模型和模拟方法是可靠
2.
A new model is established to perform simulation for Single\|Event Gate\|Rupture of power MOSFETs in use of PSPICE circuit simulation software.
根据电路模拟软件PSPICE内建元器件模型 ,建立了功率MOS器件单粒子栅穿效应的等效电路模型和模型参数提取方法 ,对VDMOS器件的单粒子栅穿效应机理进行了电路模拟和分析 ,模拟结果与文献中的实验数据相符合 ,表明所建立的等效电路模拟方法是可靠
补充资料：超高功率电炉出钢口管砖
超高功率电炉出钢口管砖
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