1) filtered cathodic vacuum arc deposition
过滤阴极真空弧沉积
1.
Ta-C films are synthesized by filtered cathodic vacuum arc deposition method.
用磁过滤阴极真空弧沉积 (FCVAD)方法在Si衬底上合成了Ta C薄膜 ,Raman光谱和光电子能谱 (XPS)分析表明衬底加 80～ 10 0V负偏压时合成的Ta C薄膜sp3 键所占比例最高 ,可达 80 %以上 ,并且在Ta C薄膜表面存在一sp3 键所占比例较低的薄层 。
2) FCVPD(filtered cathode vacuum arc deposition)
磁过滤阴极真空弧沉积
3) FCVA
磁过滤阴极真空弧沉积系统(FCVA)
4) FVAPD
磁过滤阴极真空弧沉积(FVAPD)
5) Filtered cathodic vacuum arc(FCVA)
过滤阴极真空电弧沉积(FCVA)
6) Cathode vacuum arc deposition
阴极真空弧沉积
补充资料：阴极沉积
分子式：
CAS号：
性质：电解盐类水溶液或熔盐制备金属或电解精炼提纯金属时，金属离子皆在阴极被还原并沉积析出，故称阴极沉积。沉积金属的状态与电极材料、离子浓度、温度等条件有关。
CAS号：
性质：电解盐类水溶液或熔盐制备金属或电解精炼提纯金属时，金属离子皆在阴极被还原并沉积析出，故称阴极沉积。沉积金属的状态与电极材料、离子浓度、温度等条件有关。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条