1) CVAD
阴极真空电弧离子沉积
1.
MgO thin films deposited on Si(100) were prepared by cathodic vacuum arc deposition(CVAD) at different oxygen flow rates.
采用阴极真空电弧离子沉积技术在硅基片上制备出了MgO薄膜。
2) vacuum cathodic arc deposition
真空阴极电弧沉积
3) Cathode vacuum arc deposition
阴极真空弧沉积
4) cathodic vacuum arc deposition
阴极电弧离子沉积
5) vacuum cathode arc ion plating
真空阴极电弧离子镀
1.
It is researched on low temperature deposition TiC coating of vacuum cathode arc ion plating technique by the method to import C 2H 2+C 3H 8+Ar+N 2 mixture gases.
研究输入 C2 H2 +C3H8+Ar+N2 混合气的低温沉积 Ti C涂层真空阴极电弧离子镀技术 ,研究结果表明 :Ti C涂层层深 0 。
6) FCVPD(filtered cathode vacuum arc deposition)
磁过滤阴极真空弧沉积
补充资料：阴极沉积
分子式：
CAS号：
性质：电解盐类水溶液或熔盐制备金属或电解精炼提纯金属时，金属离子皆在阴极被还原并沉积析出，故称阴极沉积。沉积金属的状态与电极材料、离子浓度、温度等条件有关。
CAS号：
性质：电解盐类水溶液或熔盐制备金属或电解精炼提纯金属时，金属离子皆在阴极被还原并沉积析出，故称阴极沉积。沉积金属的状态与电极材料、离子浓度、温度等条件有关。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条