1) double barrier magnetic tunnel junction
双势垒磁性隧道结(DBMTJ)
2) double barrier magnetic tunnel junctions
双势垒磁性隧道结
1.
First-principles theory of quantum well resonance in double barrier magnetic tunnel junctions;
双势垒磁性隧道结中量子阱共振隧穿效应的第一性原理理论
3) Double magnetic tunneling junction
磁性双隧道结
4) double-magnetic barreers
双磁势垒
5) magnetic tunnel junction
磁性隧道结
1.
Microfabrication methods of magnetic tunnel junctions with high tunneling magnetoresistance;
高磁电阻磁性隧道结的几种微制备方法研究
2.
Microfabrication of magnetic tunnel junctions on 4-inch Si/SiO_2 substrate;
4英寸热氧化硅衬底上磁性隧道结的微制备
3.
A simple method for studing the electron transport properties in the magnetic tunnel junction with an arbitrary barrier shape;
处理具有任意形状势垒的磁性隧道结中电子输运的一个简单方法
6) magnetic tunneling junction
磁性隧道结
1.
Fabrication and characterization of La_(2/3)Ca_(1/3)MnO_3/Eu_2CuO_4/La_(2/3)Ca_(1/3)MnO_3 magnetic tunneling junctions;
La_(2/3)Ca_(1/3)MnO_3/Eu_2CuO_4/La_(2/3)Ca_(1/3)MnO_3磁性隧道结的制备与表征
2.
Fully epitaxial Fe/MgO/Fe(001)magnetic tunneling junctions(MTJs)were fabricated on GaAs(001)-4×6 surface.
采用分子束外延技术在GaAs(001)-4×6衬底上外延出Fe/MgO/Fe(001)单晶磁性隧道结。
3.
Using ion\|beam\|sputtering technique, Fe/Al\-2O\-3/Fe magnetic tunneling junctions (MTJ) were fabricated.
用离子束溅射方法制备磁性隧道结 (MTJ) 。
补充资料：pn结势垒（barrierofp-njunction）
pn结势垒（barrierofp-njunction）
pn结的空间电荷区中，存在由n边指向p边的自建电场。因此，自然形成n区高于p区的电势差Vd。相应的电子势能之差即能带的弯曲量qVd称为pn结的势垒高度。pn结的p区和n区的多数载流子运动时必须越过势垒才能到达对方区域，载流子的能量低于势垒高度，就被势垒阻挡而不能前进，这个垫垒叫做pn结势垒。pn结的势垒高度与两边半导体中的杂质浓度及其分布、温度以及半导体材料的禁带宽度Eg有关。除pn结势垒外，还有金属与半导体接触的接触势垒（肖特基势垒）、半导体表面形成的表面势垒等。势垒高度受外加电场的影响，当外加电场削弱势垒区中电场时，势垒降低，载流子容易通过；外加电场加强势垒区的电场时，势垒高度升高，载流子不易通过。利用pn结势垒这一特性可制成整流、检波等多种半导体器件。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条