1) gas chemistry
气相化学
1.
0, a detailed thermochemical reaction mechanism of methane combustion chemistry, was used to simulate C/H gas chemistry in HFCVD diamond films reactors.
0甲烷燃烧过程C/H/O/N四元体系热化学反应机理和动力学数据,模拟并分析了HFCVD金刚石膜的C/H气相化学反应,通过对反应流的简单模拟得到了衬底位置气相组成,结果与前人实验数据吻合。
2) Chemical vapor infiltration
化学气相渗
1.
Chemical vapor infiltration (CVI) of carbon felts to fabricate C/C composites was carried out by implanting a special electrically conductive layer in the carbon felts, which resulted in rapid densification by a coupling effect of temperature gradient, reaction intermediate gradient, and magnetic field.
采用自行设计的化学气相渗(CVI)炉以炭毡作为纤维增强体,在坯体内部设计特殊的导电发热层,使坯体内部的温度场、气体反应的中间产物浓度场、电磁场等多元物理场实现耦合,进而达到坯体的快速增密。
2.
The heaterless chemical vapor infiltration (HCVI) process was used to fabricate C/C composites.
采用直热式化学气相渗工艺制备了 C/ C复合材料 ,以 2 D无纬织物和碳毡为纤维预制体 ,液化石油气为碳源气体 ,在常压下经 2 5 h左右沉积得到整体密度分别为 1。
3) vapor phase chemical treatment
气相化学法
5) chemical gas phase flowing
化学气相流
6) Catalysis CVD
化学气相催化法
补充资料：等离子化学气相沉积
分子式：
CAS号：
性质：PCVD 化学气相沉积(CVD)法是制备无机材料，尤其是无机薄膜和涂层的一种重要手段。用等离子辅助CVD，可在较低的温度下沉积，涂层均匀不剥落。
CAS号：
性质：PCVD 化学气相沉积(CVD)法是制备无机材料，尤其是无机薄膜和涂层的一种重要手段。用等离子辅助CVD，可在较低的温度下沉积，涂层均匀不剥落。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条