1) chemical vapor infiltration
化学气相渗透法
1.
0% fabricated by the chemical vapor infiltration was studied using oxyacetylene ablation equipment.
用化学气相渗透法制备了三维针刺碳纤维增强碳化硅陶瓷基复合材料,复合材料的平均密度为2。
2.
5 D) carbon-fiber-reinforced silicon carbide(C/SiC) composite were prepared by the chemical vapor infiltration process and the tensile properties of the composites along the warp and weft direction were compared as a function of fiber architectures and processing-induced cracks.
采用化学气相渗透法制备了2维和2。
2) low pressure chemical vapor infiltration
低压化学气相渗透法
1.
5-dimension continuous silicon carbide fiber reinforced silicon carbide composites(SiC_f/SiC)on the interface with and without a pyrocarbon layer were fabricated by low pressure chemical vapor infiltration.
采用低压化学气相渗透法制备了具有和不具有热解炭界面层的2。
3) thermal gradient chem-ical vapor infiltration
热梯度化学气相渗透法
4) chemical vapor infiltration(CVI)
化学气相渗透(CVI)
5) chemical vapor infiltration
化学气相渗透
1.
TaC was deposited by a chemical vapor infiltration(CVI) method with TaCl5-Ar-C3H6 system in the carbon fiber felt.
利用TaCl5-Ar-CaH6反应体系,用化学气相渗透(CVI)的方法,在炭毡中炭纤维表面沉积TaC。
2.
Chemical vapor infiltration processing (CVI) are considered as the most important technique for fabrication of carbon/carbon composites.
化学气相渗透技术是制备高性能C/C复合材料的一种重要方法。
3.
During thermal gradient chemical vapor infiltration(TCVI)fabricating C/C compos- ites,the complex change of the temperature field is difficult to solve by using analytics.
针对C/C复合材料热梯度化学气相渗透工艺(TCVI)致密化过程温度场难以用解析法求解的问题,建立了TCVI过程非稳态温度场有限元模型,给出了该过程温度场变化的分布曲线,研究了温度场变化规律及致密化效率与沉积温度的关系,数值模拟结果与实验结果吻合较好,为提高TCVI工艺致密化效率提供了理论指导。
6) CVI
化学气相渗透
1.
Progress in Studies on Fabrication of C/C with CVI Techniques;
化学气相渗透工艺制备C/C研究进展
2.
A novel highly efficient ICVI process, which is realized at ambient pressure by using propylene as feeding precursor gas and nitrogen as diluted gas, is developed to improve the tranditional ICVI processes.
将传统的负压等温化学气相渗透(ICVI)工艺加以改进,在常压条件下以丙烯为气态前驱体,氮气为稀释气体,通过定向扩散和控制滞留时间,经 100h沉积后制备出密度为 1 72g/cm3 的 C/C复合材料。
3.
The woven carbon fiber reinforced C-SiC binary matrix(C/C-SiC) composite manufactured by chemical vapor infiltration(CVI) method was investigated.
通过观察C/C-SiC复合材料组元分布的扫描电子显微镜(SEM)照片,获得了C/C-SiC复合材料化学气相渗透(CVI)制备过程中产生孔隙和微裂纹的几何信息。
补充资料：化学气相输运法
分子式：
CAS号：
性质：单晶生长和物质提纯的重要方法。在很多场合下，化学气相输运和化学气相沉积并没有严格的区别，只是应用的场合和反应装置有所不同。一般来说，化学气相沉积主要指薄膜的制备，而化学气相输运则常指用于单晶生长、新化合物的合成和物质的提纯等场合。当利用化学气相输运方法制备一种固体物质A的晶体时，可以在体系中加入输运剂B，物质A与输运剂B反应生成挥发性的产物C，并建立起如下化学平衡：iA(s)+kB(g)←→jC(g)。反应物封闭在石英容器里，并置于有一定温度梯度的管式炉中。由于在不同的温度下，上述反应的平衡常数不同，生成的气相物质C从容器的一端输运到另一端时，平衡向相反方向移动，使A沉积下来。用这种方法可以使物质A得到纯化，还可以得到很好的晶体。化学气相输运是一种低温下进行的反应，可以用于制备一些只有在低温下稳定的化合物。碘、水和盐酸是常用的输运剂。
CAS号：
性质：单晶生长和物质提纯的重要方法。在很多场合下，化学气相输运和化学气相沉积并没有严格的区别，只是应用的场合和反应装置有所不同。一般来说，化学气相沉积主要指薄膜的制备，而化学气相输运则常指用于单晶生长、新化合物的合成和物质的提纯等场合。当利用化学气相输运方法制备一种固体物质A的晶体时，可以在体系中加入输运剂B，物质A与输运剂B反应生成挥发性的产物C，并建立起如下化学平衡：iA(s)+kB(g)←→jC(g)。反应物封闭在石英容器里，并置于有一定温度梯度的管式炉中。由于在不同的温度下，上述反应的平衡常数不同，生成的气相物质C从容器的一端输运到另一端时，平衡向相反方向移动，使A沉积下来。用这种方法可以使物质A得到纯化，还可以得到很好的晶体。化学气相输运是一种低温下进行的反应，可以用于制备一些只有在低温下稳定的化合物。碘、水和盐酸是常用的输运剂。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条