1) CLD modification
化学气相硅沉积
1.
SiO2-CLD modification for ZSM-5 acidity was investigated by pyrolysis gas chromatography-mass spectrometer (PGC-MS), Py-IR, NH3-TPD.
目前,各种改性方法已被用于提高ZSM-5的选择性,例如金属、非金属化合物的浸渍,化学气相硅沉积(SiO2-CVD)和预结焦处理等1。
2) chemical vapor deposition silicon carbide
化学气相沉积碳化硅
1.
To realize the super-smooth polishing of chemical vapor deposition silicon carbide(CVD SiC),nano-scratch test is applied to study the critical load for brittle-ductile transition,and its polishing mechanism is analyzed according to the force on an abrasive grain.
为实现化学气相沉积碳化硅(CVD SiC)的超光滑抛光,采用纳米划痕试验研究了化学气相沉积碳化硅脆塑转变的临界载荷,根据单颗磨粒受力对其抛光机理进行了分析,并从材料特性、工艺参数以及抛光液pH值三个方面对其表面粗糙度影响因素进行了系统的试验研究。
3) chemical vapor deposition
化学气相沉积
1.
Study on PPy/UHMWPE fiber prepared by chemical vapor deposition;
化学气相沉积PPy/UHMWPE纤维的研究
2.
Preparation of In_2O_3 nanowires by single-source chemical vapor deposition method;
单源化学气相沉积法制备In_2O_3纳米线
3.
Dielectric properties of aluminum-doped silcion carbide using chemical vapor deposition;
化学气相沉积铝掺杂碳化硅的微波介电特性
4) chemical vapour deposition
化学气相沉积
1.
Preparation of tellurium films with spectral selectivity by chemical vapour deposition method;
化学气相沉积法制备光谱选择性碲膜
2.
Silicon nitride films prepared by helicon wave plasam-enhanced chemical vapour deposition;
螺旋波等离子体增强化学气相沉积氮化硅薄膜
3.
A new glass coating technology to combine the method of ionic pervasion colouration with the technique of chemical vapour deposition was adapted.
将离子渗透着色技术(IPC)和化学气相沉积技术(CVD)加以结合,在浮法玻璃生产线的锡槽内和AO区进行2次镀膜形成复合膜,克服了单一镀膜技术存在的不足。
5) chemical vapor deposition(CVD)
化学气相沉积(CVD)
6) CVD
化学气相沉积
1.
Growth of carbon nanotubes on SiO_2-particle substrates via CVD method;
利用化学气相沉积法在SiO_2小球基底上制备纳米碳管的研究(英文)
2.
Research Status on the Adhesion between Substrate and Diamond Film Deposited by CVD;
化学气相沉积金刚石薄膜刀具膜/基附着性能研究现状
3.
Study on CVD for Tungsten Coating and Capability of its Anti-ablation;
化学气相沉积钨涂层及抗烧蚀性能研究
补充资料：低压化学气相沉积
分子式：
CAS号：
性质：一种在低压下利用化学反应进行外延生长方法。其突出的优点是外延生长室为低压，此时载气流速增大，反应物质在表面的扩散系数增大，可减少反应物之间的寄生反应，以及外延生长对反应室的记忆效应，增大纵向均匀性。其压力范围一般在1.0Pa到4×104pa之间。低压外延有时是必须采用的手段，当化学反应对压力敏感，原材料蒸气压很低时，常压下不易进行反应，在低压下变得容易进行。
CAS号：
性质：一种在低压下利用化学反应进行外延生长方法。其突出的优点是外延生长室为低压，此时载气流速增大，反应物质在表面的扩散系数增大，可减少反应物之间的寄生反应，以及外延生长对反应室的记忆效应，增大纵向均匀性。其压力范围一般在1.0Pa到4×104pa之间。低压外延有时是必须采用的手段，当化学反应对压力敏感，原材料蒸气压很低时，常压下不易进行反应，在低压下变得容易进行。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条