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1)  GaAs PHEMT-technology
砷化镓赝晶高电子迁移率器件工艺
2)  GaAs PHEMT
砷化镓赝晶高电子迁移率器件
3)  GaAs power PHEMT
砷化镓功率赝配高电子迁移率晶体管
4)  GaAs pseudomorphic high electron mobility transistors(pHEMT)
砷化镓基赝配高电子迁移率晶体管
5)  GaAs HEMT
砷化镓高电子迁移率晶体管
6)  AlGaN/GaN HEMT
铝镓氮/氮化镓高电子迁移率晶体管
补充资料:电子迁移率
分子式:
CAS号:

性质:在外电场作用下液态介质内的电子受到加速而迁移,称电子迁移。迁移率(单位场强下的电子迁移速率)是沿着外电场施加于电子上的作用力方向,通常小于无规热运动速率,其大小由介质阻碍与外场加速间达到的平衡来确定,是一个平均速率。

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