1) GaAs PHEMT-technology
砷化镓赝晶高电子迁移率器件工艺
2) GaAs PHEMT
砷化镓赝晶高电子迁移率器件
3) GaAs power PHEMT
砷化镓功率赝配高电子迁移率晶体管
4) GaAs pseudomorphic high electron mobility transistors(pHEMT)
砷化镓基赝配高电子迁移率晶体管
5) GaAs HEMT
砷化镓高电子迁移率晶体管
6) AlGaN/GaN HEMT
铝镓氮/氮化镓高电子迁移率晶体管
补充资料:电子迁移率
分子式:
CAS号:
性质:在外电场作用下液态介质内的电子受到加速而迁移,称电子迁移。迁移率(单位场强下的电子迁移速率)是沿着外电场施加于电子上的作用力方向,通常小于无规热运动速率,其大小由介质阻碍与外场加速间达到的平衡来确定,是一个平均速率。
CAS号:
性质:在外电场作用下液态介质内的电子受到加速而迁移,称电子迁移。迁移率(单位场强下的电子迁移速率)是沿着外电场施加于电子上的作用力方向,通常小于无规热运动速率,其大小由介质阻碍与外场加速间达到的平衡来确定,是一个平均速率。
说明:补充资料仅用于学习参考,请勿用于其它任何用途。
参考词条