1) Pseudomorphic High Electronic Mobility Transistors(PHEMT)
赝配高速电子迁移率晶体管
2) GaAs power PHEMT
砷化镓功率赝配高电子迁移率晶体管
3) pHEMT
赝配高电子迁移率晶体管
1.
Monolithic Integration of 0.8μm Gate-Length GaAs-Based InGaP/AlGaAs/InGaAs Enhancement-and Depletion-Mode PHEMTs;
单片集成0·8μm栅长GaAs基InGaP/AlGaAs/InGaAs增强/耗尽型赝配高电子迁移率晶体管
2.
MBE Growth of InP Based PHEMT Epitaxial Materials;
分子束外延生长InP基赝配高电子迁移率晶体管外延材料
4) enhancement PHEMT
增强型赝配高电子迁移率晶体管
1.
5μm enhancement PHEMT technology.
报道了一种用于卫星通讯系统,基于0·5μm栅长增强型赝配高电子迁移率晶体管的两级级联微波单片低噪声放大器。
5) PHEMT
赝配结构高电子迁移率晶体管
1.
PHEMT material and device;
概述了微波毫米波赝配结构高电子迁移率晶体管材料的结构特性,研究了该材料的分子束外延生长工艺,并且报道了用这种材料研制的赝配结构高电子迁移率晶体管的器件研制结果。
6) pseudomorphic high electron mobility transistor(PHEMT)
赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)
补充资料：高电子迁移率晶体管（highmobilitytransistor）
高电子迁移率晶体管（highmobilitytransistor）
利用异质结或调制掺杂结构中二维电子气高迁移率特性的场效应晶体管。其低温、低电场下的电子迁移率比通常高质量的体半导体的场效应晶体管高1000倍，可实现高速低噪音工作。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条