1) DC magnetic sputter
直流磁空溅射
2) DC magnetron co-sputtering
直流磁控共溅射
3) DC magnetron sputtering
直流磁控溅射
1.
Microstructures and Properties of Tantalum Film Grown by DC Magnetron Sputtering;
直流磁控溅射沉积钽膜的结构与性能研究
2.
Effects of thickness on microstructure and properties of Niobium films deposited by DC magnetron sputtering;
膜厚对直流磁控溅射Nb薄膜微结构的影响
3.
Optical and electrical properties of ITO thin films deposited by DC magnetron sputtering at room temperature;
室温直流磁控溅射制备ITO膜及光电性能研究
5) direct current(DC) magnetron sputtering
直流(DC)磁控溅射
6) direct current magnetron sputtering
直流磁控溅射
1.
The photoelectric properties of ITO films were studied with different deposition parameters such as the temperature of substrates, power, pressure, H2O gas partial pressure during direct current magnetron sputtering at low temperature.
论述了直流磁控溅射法低温ITO透明导电薄膜的过程中,衬底温度、溅射功率、溅射压强、水蒸气分压对ITO薄膜的光电性能的影响。
2.
Using ZnO targets with various Al_2O_3 mass fractions of 1%, 2%, 3%,4%, aluminum-doped ZnO films (ZAO) were prepared by direct current magnetron sputtering on glass substrates at different Al_2O_3 dosages and different oxygen partial pressures.
用直流磁控溅射法在玻璃衬底上制备了ZnO∶Al(ZAO)透明导电薄膜试样。
3.
Hydrogen-free diamond-like films and silicon incorporated diamond-like carbon films were deposited by direct current magnetron sputtering with Ar gas, graphite and silicon chips on the single-crystal silicon and optical glass substrates.
本文采用直流磁控溅射方法,以普通光学玻璃和单晶硅为基底,Ar为工作气体和石墨以及硅片为靶材,制备无氢类金刚石薄膜和掺硅类金刚石薄膜。
补充资料：直流溅射
分子式：
CAS号：
性质：利用直流辉光放电产生的离子轰击靶材进行溅射镀膜的技术。直流溅射装置主要由真空室、真空系统和直流溅射电源构成。靶材(接阴极)表面溅射出来的原子沉积在基片或工件(阳极)上，形成镀层。两极之间加2～3kV直流电压，阴极附近形成高密度的等离子体区，直流电压使离子加速轰击靶材表面，发生溅射效应。由靶材表面溅射出来的原子趋向基片。如在平行于靶面的方向加上环形磁场，则称为直流磁控溅射。直流溅射由于镀膜速率太低，限制了大规模工业化应用。
CAS号：
性质：利用直流辉光放电产生的离子轰击靶材进行溅射镀膜的技术。直流溅射装置主要由真空室、真空系统和直流溅射电源构成。靶材(接阴极)表面溅射出来的原子沉积在基片或工件(阳极)上，形成镀层。两极之间加2～3kV直流电压，阴极附近形成高密度的等离子体区，直流电压使离子加速轰击靶材表面，发生溅射效应。由靶材表面溅射出来的原子趋向基片。如在平行于靶面的方向加上环形磁场，则称为直流磁控溅射。直流溅射由于镀膜速率太低，限制了大规模工业化应用。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条