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1)  W/ TiO2 thin film
W/TiO2薄膜
2)  TiO_2 thin films
TiO2薄膜
1.
The developing methods of preparing TiO_2 thin films were reviewed.
论述了纳米TiO2薄膜制备技术的最新研究进展。
2.
Transparent TiO_2 thin films were obtained on glass by a liquid phase deposition method(LPD).
采用液相沉积法(LPD)在玻璃的表面制得透明的TiO2薄膜,以XRD和SEM等方法对薄膜的物相、结构、形貌和光催化性能进行表征。
3.
TiO_2 thin films were prepared on glass substrates by RF magnetron sputtering.
利用射频磁控溅射设备在玻璃基片上制备TiO2薄膜,采用AFM、UV-Vis分光光度、接触角测定仪等测试手段,研究基片温度对薄膜表面形貌、粗糙度和表面性能的影响。
3)  TiO2 thin film
TiO2薄膜
1.
TiO2 thin films were prepared by DC reactive magnetron sputtering with different oxygen partial pressures.
采用直流磁控溅射法在不同氧分压下制备TiO2薄膜;研究氧分压对TiO2薄膜的表面形貌、晶体结构、化学组分及光吸收性能的影响。
2.
Microporous TiO2 thin films were fabricated by the sol-gel method.
借调节sol-gel法中溶胶的pH值,薄膜的热处理温度,研究了它们对TiO2薄膜的晶相组成、晶粒大小、表面结构和紫外及可见光吸收性能的影响。
3.
The best photocatalytic ability was investigated in terms of the degradation of methyl orange on TiO2 thin film.
采用溶胶-凝胶法制备TiO2溶胶,将其涂覆在普通钠钙玻璃上,以TiO2对甲基橙的光分解率探讨TiO2薄膜最佳光催化性能。
4)  TiO2/Al2O3 films
TiO2/Al2O3薄膜
1.
Anatase TiO2 and TiO2/Al2O3 films were successfully prepared on foam nickel substrates by sol-gel technique.
研究表明:泡沫镍负载的TiO2和TiO2/Al2O3薄膜具有良好的光催化活性,特别是TiO2/Al2O3薄膜具有更高的催化活性。
5)  TiO_2 thin film
TiO2薄膜
1.
The environmental material of TiO_2 thin film is prepared using ZDL-2051 automotive lighting vacuum metallising system with the method of vacuum evaporation deposition technique.
采用ZDL-2051型真空镀膜机,用真空蒸发沉积方法制备环保材料TiO2薄膜,并用扫描电子显微镜(SEM)和X射线能量色散谱仪对其表面形貌及成分分别进行了观察、分析和表征。
2.
The porous Mn~(2+)-doping TiO_2 thin films are prepared by a sol-gel technique on glass sheet.
采用溶胶-凝胶法制备Mn2+掺杂的TiO2薄膜光催化剂,进行甲醛的光催化实验,考察Mn2+掺杂量、薄膜焙烧温度、溶胶体系pH值及薄膜厚度对光催化性能的影响。
3.
TiO_2 thin films were deposited on different substrates in vacuum by way of cathode arc discharge.
在真空条件下利用真空电弧源在不同基底材料上镀制了TiO2薄膜。
6)  TiO2-Ag thin films
TiO2-Ag薄膜
补充资料:CaO-TiO2-SiO2 ceramics
分子式:
CAS号:

性质:在CaO-TiO2-SiO2三元系统中以CaSiO3与TiO2或以CaTiSiO5与CaTiO3为基料的陶瓷材料。其结构特点是两种晶相共存,性能受晶相比例影响。配比可在一定范围内调节。主要原料为碳酸钙、二氧化钛、二氧化硅,加入少量改性添加剂,经配料、磨细、混合、成型、烧成等工序获得制品,也可先用碳酸钙和二氧化硅高温下合成硅酸钙,用碳酸钙、二氧化硅、二氧化钛高温下合成钛硅酸钙后再进行配料、烧成等,以确保两晶相共存。主要介电性能为:介电常数80~110,介质损耗角正切值(0.8~2.5)×10-4,介电常数温度系数(-450~+550)×10-6/℃。抗电温度(45~55)kV/mm,电阻率(1011~1012)Ω·cm。主要用作温度补偿型陶瓷电容器瓷料。

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参考词条