1) WO3-TiO2 film
WO3-TiO2薄膜
2) WO3/TiO2 thin film
WO3/TiO2薄膜
1.
In this article,photocatalytic degradation of acid red B(ARB) in aqueous solution was studied with a photocatalytic glass reactor which made of the glass beads evenly coated with transparent WO3/TiO2 thin film by the sol-gel process.
采用溶胶-凝胶法,在玻璃珠表面涂覆均匀透明的WO3/TiO2薄膜,并制成光催化反应器对水溶液中酸性红B(ARB)的光催化降解进行了研究。
3) WO_3 thin film
WO3薄膜
1.
The electrochemistry impedance spectroscopies of ITO plane electrodes and ITO plane electrodes with WO_3 thin film immersed in 1 mol LiClO_4 propylene carbonate electrolyte have been studied by means of the surface process Faraday immittance expression and equivalent circuits.
采用表面过程法拉第阻纳表达式方法与等效电路方法,研究透明ITO平面电极及带WO3薄膜层的ITO平面电极处于1 mol LiClO4丙烯碳酸酯电解液中的电化学阻抗谱。
4) WO3 film
WO3薄膜
1.
Nano-WO3 film is the better optical gas sensor material.
WO3薄膜是良好的光学气敏传感器材料。
5) Pt/WO3 thin film
Pt-WO3薄膜
6) Ti-WO3thin films
Ti-WO3薄膜
补充资料：CaO-TiO2-SiO2 ceramics
分子式：
CAS号：
性质：在CaO-TiO2-SiO2三元系统中以CaSiO3与TiO2或以CaTiSiO5与CaTiO3为基料的陶瓷材料。其结构特点是两种晶相共存，性能受晶相比例影响。配比可在一定范围内调节。主要原料为碳酸钙、二氧化钛、二氧化硅，加入少量改性添加剂，经配料、磨细、混合、成型、烧成等工序获得制品，也可先用碳酸钙和二氧化硅高温下合成硅酸钙，用碳酸钙、二氧化硅、二氧化钛高温下合成钛硅酸钙后再进行配料、烧成等，以确保两晶相共存。主要介电性能为：介电常数80～110，介质损耗角正切值(0.8～2.5)×10-4，介电常数温度系数(-450～+550)×10-6/℃。抗电温度(45～55)kV/mm，电阻率(1011～1012)Ω·cm。主要用作温度补偿型陶瓷电容器瓷料。
CAS号：
性质：在CaO-TiO2-SiO2三元系统中以CaSiO3与TiO2或以CaTiSiO5与CaTiO3为基料的陶瓷材料。其结构特点是两种晶相共存，性能受晶相比例影响。配比可在一定范围内调节。主要原料为碳酸钙、二氧化钛、二氧化硅，加入少量改性添加剂，经配料、磨细、混合、成型、烧成等工序获得制品，也可先用碳酸钙和二氧化硅高温下合成硅酸钙，用碳酸钙、二氧化硅、二氧化钛高温下合成钛硅酸钙后再进行配料、烧成等，以确保两晶相共存。主要介电性能为：介电常数80～110，介质损耗角正切值(0.8～2.5)×10-4，介电常数温度系数(-450～+550)×10-6/℃。抗电温度(45～55)kV/mm，电阻率(1011～1012)Ω·cm。主要用作温度补偿型陶瓷电容器瓷料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条