1) Ti/TiO_2 films
Ti/TiO2薄膜
1.
Microstructures and optical properties of Ti/TiO_2 films,grown by unbalanced magnetron sputtering on glass substrates,were characterized with atomic force microscopy(AFM),Raman spectrocopy,and ultraviolet visible light spectroscopy(UV-Vis).
在光学玻璃衬底上利用新型非平衡磁控溅射技术沉积了Ti/TiO2薄膜。
2) TiO 2/Ti thin film
TiO2/Ti薄膜
3) Ti/TiO2 multilayer film
Ti/TiO2多层膜
1.
Ti/TiO2 multilayer films were prepared on glass substrate by vacuum evaporation and natural oxidation with their optical and electrical properties tested.
用真空蒸发和自然氧化法在玻璃基底上制备了Ti/TiO2多层膜,并检测了薄膜的光电性能。
4) TiO_2 thin films
TiO2薄膜
1.
The developing methods of preparing TiO_2 thin films were reviewed.
论述了纳米TiO2薄膜制备技术的最新研究进展。
2.
Transparent TiO_2 thin films were obtained on glass by a liquid phase deposition method(LPD).
采用液相沉积法(LPD)在玻璃的表面制得透明的TiO2薄膜,以XRD和SEM等方法对薄膜的物相、结构、形貌和光催化性能进行表征。
3.
TiO_2 thin films were prepared on glass substrates by RF magnetron sputtering.
利用射频磁控溅射设备在玻璃基片上制备TiO2薄膜,采用AFM、UV-Vis分光光度、接触角测定仪等测试手段,研究基片温度对薄膜表面形貌、粗糙度和表面性能的影响。
5) TiO2 thin film
TiO2薄膜
1.
TiO2 thin films were prepared by DC reactive magnetron sputtering with different oxygen partial pressures.
采用直流磁控溅射法在不同氧分压下制备TiO2薄膜;研究氧分压对TiO2薄膜的表面形貌、晶体结构、化学组分及光吸收性能的影响。
2.
Microporous TiO2 thin films were fabricated by the sol-gel method.
借调节sol-gel法中溶胶的pH值,薄膜的热处理温度,研究了它们对TiO2薄膜的晶相组成、晶粒大小、表面结构和紫外及可见光吸收性能的影响。
3.
The best photocatalytic ability was investigated in terms of the degradation of methyl orange on TiO2 thin film.
采用溶胶-凝胶法制备TiO2溶胶,将其涂覆在普通钠钙玻璃上,以TiO2对甲基橙的光分解率探讨TiO2薄膜最佳光催化性能。
6) TiO2/Al2O3 films
TiO2/Al2O3薄膜
1.
Anatase TiO2 and TiO2/Al2O3 films were successfully prepared on foam nickel substrates by sol-gel technique.
研究表明:泡沫镍负载的TiO2和TiO2／Al2O3薄膜具有良好的光催化活性,特别是TiO2／Al2O3薄膜具有更高的催化活性。
补充资料：CaO-TiO2-SiO2 ceramics
分子式：
CAS号：
性质：在CaO-TiO2-SiO2三元系统中以CaSiO3与TiO2或以CaTiSiO5与CaTiO3为基料的陶瓷材料。其结构特点是两种晶相共存，性能受晶相比例影响。配比可在一定范围内调节。主要原料为碳酸钙、二氧化钛、二氧化硅，加入少量改性添加剂，经配料、磨细、混合、成型、烧成等工序获得制品，也可先用碳酸钙和二氧化硅高温下合成硅酸钙，用碳酸钙、二氧化硅、二氧化钛高温下合成钛硅酸钙后再进行配料、烧成等，以确保两晶相共存。主要介电性能为：介电常数80～110，介质损耗角正切值(0.8～2.5)×10-4，介电常数温度系数(-450～+550)×10-6/℃。抗电温度(45～55)kV/mm，电阻率(1011～1012)Ω·cm。主要用作温度补偿型陶瓷电容器瓷料。
CAS号：
性质：在CaO-TiO2-SiO2三元系统中以CaSiO3与TiO2或以CaTiSiO5与CaTiO3为基料的陶瓷材料。其结构特点是两种晶相共存，性能受晶相比例影响。配比可在一定范围内调节。主要原料为碳酸钙、二氧化钛、二氧化硅，加入少量改性添加剂，经配料、磨细、混合、成型、烧成等工序获得制品，也可先用碳酸钙和二氧化硅高温下合成硅酸钙，用碳酸钙、二氧化硅、二氧化钛高温下合成钛硅酸钙后再进行配料、烧成等，以确保两晶相共存。主要介电性能为：介电常数80～110，介质损耗角正切值(0.8～2.5)×10-4，介电常数温度系数(-450～+550)×10-6/℃。抗电温度(45～55)kV/mm，电阻率(1011～1012)Ω·cm。主要用作温度补偿型陶瓷电容器瓷料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条