1) high dielectric constant
高介电常量
2) high-K
高介
1.
The dissertation started with the analysis of the crystal structure of BaTiO_3, then studied the preparation of high-K X7R, high-K X8R and intermediate temperature sintering high-K X8R dielectric ceramic system by modern methods such as XRD, SEM, EDS etc.
论文从分析钛酸钡的晶体结构入手,运用XRD、SEM、EDS等现代微观分析手段,对钛酸钡基的高介X7R介质陶瓷材料、高介X8R介质陶瓷材料和中温烧结X8R介质陶瓷材料的制备进行了研究,讨论了介质陶瓷体系掺杂改性的作用效果和微观机理以及系统组分和工艺条件等对系统介电性能的影响。
3) high dielectric
高介电性
4) high dielectric material
高介材料
5) high frequency high permittivity
高频高介
1.
The Ag2O-Nb2O5-Ta2O5 (ANT) system is a novel high frequency high permittivity ceramic material which can be sintered below 1150℃.
Ag2O-Nb2O5-Ta2O5陶瓷系统(简称ANT)是一种新型的高频高介陶瓷材料,可以在1150℃以下进行中温烧结。
6) high permittivity
高介陶瓷
参考词条
补充资料：介电常量
介电常量
Dielectric constant
来定义:(l)究时所用的频率范围。对低于10，赫左右的频率，插人一平行板电容器中的电介质样品的电容率或阻抗，可以用一些适当电路来测量:谢灵(Schering)电桥的装置常用于直到1护赫的范围，而谐振电路则常用于1少一1护赫的范围。对于105赫以上的频率，介电常量可通过测量电磁波与该介质的相互作用来确定。在大约10“至1011赫的范围内，材料往往充填于波导或同轴电缆之中，然后量度其各种驻波波型。在更高的频率下，就要用到包括反射和透射测量在内的光学技术。在分析化学中所用的测量技术将在下面讨论。 宏观理论下式的介电常量K是一个把电位移矢量D、极化强度p和电场E这些宏观量联系起来的无量纲参数:c一C0 一一 佑1+器一‘+yx，‘2， 一一D一e0E 一一.一气 一一这里C为充满了电介质的电容器的电容，而C。为真空电容器的电容。 介电常量‘也称为电容率(speeifie induetiveeapaeity)或相对电容率(relative permittivity)。它作为静电学库仑定律中的一个比例常量，也许最为人们所熟悉。对于某一给定电荷分布，介电常量表示真空中的电场强度与电介质中的电场强度之比，后一个场由于电介质的极化而被削弱。参阅“库仑定律”( Coulomb’5 law)、“电介质”(dieleetries)、“电场”(eleetrie field)和“电容率”(permittivity)各条。 对于低频或静态场，典型电介质的‘值范围从1至10000以上。气体的介电常量仅比1稍为大一点，而高K值则出现在许多极性液体和某些离子固体中。附表列出了一些具有代表性的电介质材料的介电常量。
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