1) high dielectric oxide ceramics
高介氧化物陶瓷
2) oxide ceramics
氧化物陶瓷
1.
A series of new low expansion conductive oxide ceramics, including ZrO_2(TiO_2)-Ta_2O_5、Sb_2O_3(Ta_2O_5, Cr_2O_3)-SnO_2、R_2O_3-TiO_2-Cr_2O_3 systems are studied in this paper.
本文研究了新的低膨胀导电氧化物陶瓷系统，涉及ZrO_2(TiO_2)-Ta_2O_5、Sb_2O_3(Ta_2O_5，Cr_2O_3)-SnO_2、R_2O_3-TiO_2-Cr_2O_3系统。
3) high permittivity
高介陶瓷
4) oxide bio-ceramic
氧化物生物陶瓷
5) high alumina ceramics
高氧化铝陶瓷
6) high purity alumina ceramics
高纯氧化铝陶瓷
补充资料：氧化钍陶瓷
分子式：
CAS号：
性质：氧化钍(ThO2)为主要成分的陶瓷。纯氧化钍为立方晶系，萤石型结构。密度9.7～9.8g/cm3。熔点3050℃±20℃。有放射性。氧化钍陶瓷制品热膨胀系数较大，25～1000℃时为9.2×10-6/℃；导热率较小，100℃时为0.105J/(cm·s·℃)；热稳定性较差，但熔融温度高，高温导电性能好。以氧化钍粉为原料，为降低烧成温度，添加二氧化锆或氧化钙及其他原料，采用一般特种陶瓷生产工艺。可采用注浆成型(加10％聚乙烯醇水溶液作悬浮剂)或压制成型(加20％四氯化钍作黏结剂)。主要用作熔炼锇、纯铑和精炼镭的坩埚。也可作为加热元件，用于探照灯光源，白炽灯纱罩等。
CAS号：
性质：氧化钍(ThO2)为主要成分的陶瓷。纯氧化钍为立方晶系，萤石型结构。密度9.7～9.8g/cm3。熔点3050℃±20℃。有放射性。氧化钍陶瓷制品热膨胀系数较大，25～1000℃时为9.2×10-6/℃；导热率较小，100℃时为0.105J/(cm·s·℃)；热稳定性较差，但熔融温度高，高温导电性能好。以氧化钍粉为原料，为降低烧成温度，添加二氧化锆或氧化钙及其他原料，采用一般特种陶瓷生产工艺。可采用注浆成型(加10％聚乙烯醇水溶液作悬浮剂)或压制成型(加20％四氯化钍作黏结剂)。主要用作熔炼锇、纯铑和精炼镭的坩埚。也可作为加热元件，用于探照灯光源，白炽灯纱罩等。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条