1) high dielectric properties
高介电性能
4) dielectric properties
介电性能
1.
The sintering behavior and microwave dielectric properties of Mg_4(Ta_(1-x)V_x)_2O_9 ceramics;
Mg_4(Ta_(1-x)V_x)_2O_9陶瓷的烧结特性和微波介电性能
2.
Effect of doped Mg~(2+) and Mn~(2+) on the dielectric properties of BaTiO_3-metal composite system;
Mg~(2+)和Mn~(2+)掺杂对BaTiO_3-金属复合系介电性能的影响
3.
Preparation of Cd-doped BZCN thin film and its dielectric properties;
Cd掺杂BZCN薄膜的制备及其介电性能
5) dielectric property
介电性能
1.
Temperature and dielectric property of resin during RTM process;
RTM工艺中树脂固化温度与介电性能
2.
Correlations between dielectric property and modulated structure in the (Ta_2O_5)_(0.92)(TiO_2)_(0.08) system;
Ta_2O_5-TiO_2调制结构和介电性能相关性
3.
Effects of nickel addition on the microstructure and dielectric property of barium titanate powder and ceramic with excessive Ti;
掺镍对钛过量钛酸钡粉体及其陶瓷的结构及介电性能的影响
6) dielectric
[英][,daii'lektrik] [美][,daɪɪ'lɛktrɪk]
介电性能
1.
The effect of excess PbO and MgO on dielectric property of PMN-PT;
过量PbO、MgO对PMN-PT陶瓷介电性能的影响
2.
Piezoelectric and dielectric properties and acoustic impedance of the composites with different strontium ferrite and barium ferrate contents were measured and investigated.
分析讨论锶铁氧体和钡铁氧体掺杂质量分数对压电复合材料压电性能、介电性能及声阻抗的影响。
3.
The effect of NiO content on dielectric properties of NiO/BaTiO3 composites was investigated.
以纳米NiO和BaTiO3粉为原料,在1100～1200℃烧结温度条件下,制备了NiO/BaTiO3陶瓷复合材料,研究了复合材料的介电性能。
补充资料：高聚物介电性能
在外加电场中只有束缚电荷作有限位移的材料称电介质，一般来说，高聚物都是电介质。电介质的性能可用介电常数和介电损耗正切 tgδ两个参数来表征。介电常数 ε是电容器中充满该材料时的电容量与在真空时的电容量之比，真空的ε等于1，空气的ε接近1，大多数非极性高聚物的ε为2左右，极性高聚物的ε为2～10。
介电常数 表征电解质极化的宏观参数，它与分子极化率α之间的关系由克劳修斯－莫索提公式给出：
式中Μ为分子量；d为密度；NA为阿伏伽德罗数。分子极化率包括电子极化率αe和原子极化率αa,并与极性电介质在直流电场时的静介电常数ε0和分子的有效偶极矩μe有关。
(1)
式(1)称德拜公式,式中k为玻耳兹曼常数；T为热力学温度。只有电子极化和原子极化的非极性高聚物可通过麦克斯韦关系用折射率n表示：ε＝n2,式中ε和n应在同一频率下测量。极性高聚物由于偶极极化,ε的实测值偏离n2较大。
介电损耗正切 也称介电损耗因子,tgδ是电介质在交变电场中损耗能量与贮存能量之比。由于电介质、基团或偶极的取向运动存在着阻力，使得极化滞后于电场的变化，其滞后相角δ的正切tgδ正比于材料在交变电场中能量的损耗。高聚物是具有低介电常数和低介电损耗的优良绝缘材料，非极性高聚物的tgδ可小于1×10-4，极性高聚物的tgδ为5×10-3～1×10-1。电介质在交变电场中能量的损耗与交变电场的频率f以及tgδ成正比,因此tgδ高的聚合物由于能将较多的电能转变为热能,所以它适合于高频焊接或高频加热，但不适合作高频绝缘材料。
复数介电常数 在交变电场中的介电性能要用复数介电常数ε*来描述：
ε*＝ε′－iε″式中ε′为实数部分,ε″为虚数部分，因此。
介电性能与温度 高聚物的介电性能有显著的频率和温度依赖性。具有单一松弛时间的电介质（实际上高聚物松弛时间分布很宽，是个谱）的介电性能的频率依赖性由德拜色散方程给出：
(2)
(3)
(4)
式(2)、(3)、(4)中ε∞和εS分别为色散区两侧高频和低频区的介电常数，称为未松弛和已松弛介电常数；ω 为角频率；τ为松弛时间。
高聚物介电性能与温度的关系是通过松弛时间 τ与温度的依赖性相联系的，即：
式中τ0为常数；E为活化能;R为气体常数;T为绝对温度。
介电色散 由式(3)、(4)可知,ε′和ε″为lgωτ的函数,当ωτ＝1时，ε′发生骤变而ε″出现峰值,这种现象称为介电色散。高分子介电色散是基团和链段松弛过程的表现，因此，高聚物的介电性能温度谱或频率谱是研究高聚物转变和松弛以及分子运动的重要方法之一。
介电常数 表征电解质极化的宏观参数，它与分子极化率α之间的关系由克劳修斯－莫索提公式给出：
式中Μ为分子量；d为密度；NA为阿伏伽德罗数。分子极化率包括电子极化率αe和原子极化率αa,并与极性电介质在直流电场时的静介电常数ε0和分子的有效偶极矩μe有关。
(1)
式(1)称德拜公式,式中k为玻耳兹曼常数；T为热力学温度。只有电子极化和原子极化的非极性高聚物可通过麦克斯韦关系用折射率n表示：ε＝n2,式中ε和n应在同一频率下测量。极性高聚物由于偶极极化,ε的实测值偏离n2较大。
介电损耗正切 也称介电损耗因子,tgδ是电介质在交变电场中损耗能量与贮存能量之比。由于电介质、基团或偶极的取向运动存在着阻力，使得极化滞后于电场的变化，其滞后相角δ的正切tgδ正比于材料在交变电场中能量的损耗。高聚物是具有低介电常数和低介电损耗的优良绝缘材料，非极性高聚物的tgδ可小于1×10-4，极性高聚物的tgδ为5×10-3～1×10-1。电介质在交变电场中能量的损耗与交变电场的频率f以及tgδ成正比,因此tgδ高的聚合物由于能将较多的电能转变为热能,所以它适合于高频焊接或高频加热，但不适合作高频绝缘材料。
复数介电常数 在交变电场中的介电性能要用复数介电常数ε*来描述：
ε*＝ε′－iε″式中ε′为实数部分,ε″为虚数部分，因此。
介电性能与温度 高聚物的介电性能有显著的频率和温度依赖性。具有单一松弛时间的电介质（实际上高聚物松弛时间分布很宽，是个谱）的介电性能的频率依赖性由德拜色散方程给出：
(2)
(3)
(4)
式(2)、(3)、(4)中ε∞和εS分别为色散区两侧高频和低频区的介电常数，称为未松弛和已松弛介电常数；ω 为角频率；τ为松弛时间。
高聚物介电性能与温度的关系是通过松弛时间 τ与温度的依赖性相联系的，即：
式中τ0为常数；E为活化能;R为气体常数;T为绝对温度。
介电色散 由式(3)、(4)可知,ε′和ε″为lgωτ的函数,当ωτ＝1时，ε′发生骤变而ε″出现峰值,这种现象称为介电色散。高分子介电色散是基团和链段松弛过程的表现，因此，高聚物的介电性能温度谱或频率谱是研究高聚物转变和松弛以及分子运动的重要方法之一。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条