1) super high dielectric constant
超高介电常数
2) high dielectric constant
高介电常数
1.
Preparation and Characterization of New Perovskite-like High Dielectric Constant Oxides;
新型类钙钛矿高介电常数氧化物的制备与结构表征
2.
The introduction of Re for purification of aluminum ingot,corrosion technology of pit and reaming,and composite oxide film with high dielectric constant are summarized mainly.
从高压铝阳极箔的立方织构、腐蚀技术、化成工艺等方面概述了目前高压铝电解电容器用电极箔研究领域的最新进展,其中包括加入稀土净化铝锭基体、发坑和扩孔的腐蚀技术、复合高介电常数氧化膜。
3.
For example, the flexibility compositeswith a high dielectric constant have a great future in the electronic industry field.
例如,高介电常数的柔性聚合物基电介质复合材料在电子工业领域可能有广泛的应用前景,它可以被用来制作具有任意形状的多层片式电容器,因此提高电介质材料的介电常数具有非常重要的意义。
3) high-k
高介电常数
1.
The properties of a new high-k gate dielectric material LaAlO3 were investigated.
在室温下,采用射频磁控溅射法在Si衬底上制备了具有高介电常数的LaAlO3薄膜,这是一种新的栅极电介质材料。
2.
With the coming of 45 nm and 32 nm technology,high-k materials could be good alternatives of SiO2 gate dielectric.
随着45 nm及32 nm技术节点的来临,高介电常数(high-k)材料成为代替SiO2作为栅介质薄层材料的较好选择,但是大多数高k材料是离子金属氧化物,其基本物理性能和材料特性不仅导致了很多不可靠因素,还会造成电学性能的损失。
4) ultralow dielectric constant
超低介电常数
1.
Nanoporous silica film with ultralow dielectric constant has a great potential usage as interconnection dielectrics in ul-tralarge integration circuits.
探讨了旋转涂覆制备多孔SiO_2薄膜的弱点及改进办法,指明了超低介电常数纳米多孔SiO_2薄膜制备技术的发展方向。
5) High dielectric constant thin film
高介电常数薄膜
1.
High dielectric constant thin films have been used in high-density dynamic random access memories widely.
高介电常数薄膜广泛应用于动态随机存储器中。
6) high-frequency dielectric constant
高频介电常数
1.
Using classical vibrator theory and by means of the n-k egg-shape curve and n-k half-circle graph of reflectivity for vibrators, the influence of high-frequency dielectric constant on crystal reflection spectrum is analyzed.
运用经典振子理论,借助振子n-k蛋圆曲线及反射率半圆图,分析了高频介电常数对晶体反射光谱的影响,指出当振子强度和阻尼常数一定时,高频介电常数低的材料有利于在反射光谱中形成宽带低反射率区,可用于红外吸波。
补充资料：复介电常数
复介电常数
complex dielectric constant
倒￡“ED(t)=“(田)及cos田t+￡，，(留)凡sin山t(1)相角子，即式中:/(。卜会cos“(。)，:。(。卜会sin“(。)(2)tg占=损耗电流11_f充电电流Ic一万 (7)即在交变电场下，D(t)和E(t)的关系要用两个物理量口和了来表征。上式中，相位占和了、了都是频率的函数，且与温度和电介质结构密切相关。 D(t)可分解为两个分量:一个与E同相位，另一与E有90。相位差。如将上述关系用复数表示，且令君*=Eoe，“‘，D*=Doej(“一泞)，则刀‘与E*的关系可表示为 D*(t)=‘*(臼)E*(t)(3)在式中引入复数介电常数扩=了一j已，则 二(田卜;斜一会一‘一‘(田卜j一‘。，“， 静态时，。=0、占=0。即￡，，=O，式(3)可表示为D=二，(0)E，其中￡，(O)即为静态介电常数￡s。可见，g(。)是静态介电常数在交变场下的推广，e’(。)称为频率依赖的介电常数。 动态时，在真空电容器中，电流虽然超前电场二/2，但由于占=0，而不产生损耗;故在具有介电常数的电容器中，单位时间、单位体积中损耗的能量评，可由E及与E同相的电流分量。扩E的乘积表示，即]。“E图1电介质中交流电场E 与电流I的矢量图部和虚部表示，而弛豫时间为 根据复介电常数定 义，由式(4)并经简化 处理后可得 ￡*(臼)=￡‘(臼)一j￡“ 6二一己。/。、 t田】=E。十二~一，犷一一~气己少 1一」田T 上式称为德拜公式，用 来表征复介电常数的频 率特性。如将其分成实:时，则得已=昆+65一三.l+田2r2(￡。一氛)田T1十田2丁2 已，，tg口一=万，二 Q(‘s一几)田丁￡s+氛田2丁2 (9)(10)(11)W一晋DOEOS‘n“一晋“‘“一‘E’“‘g“(5，合(￡·l一(去‘一‘。210 10()四T由于了的变化不大，因而能量损耗与复介电常数的虚部已成正比。式(4)中了(动称为介质的损耗因子。式(5)中占称为介质损耗角，tg沙称为介质损耗角正切或介电耗散因子。 在交流电路中，若置介质于平板电容器中，并在两极间外加交流电压V V=Voej“。.，_L一~~，卜。尸。
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参考词条