1) MO-PECVD technique
MO-PECVD
2) MOPECVD technique
MO-PECVD方法
3) PECVD
PECVD法
1.
Amorphous silicon films prepared by PECVD on the glass substrate have been crystallized by conventional furnace annealing(FA) at middle temperature.
用PECVD法直接沉积的非晶硅(a-S i:H)薄膜用传统炉在中温退火,然后用拉曼光谱、XRD和SEM分析,发现晶粒大小随退火温度和退火时间呈现量子态现象。
2.
Undoped amorphous silicon film deposited by PECVD at 30℃,350℃,450℃ substrate temperatures,annealed at 850℃ by conventional furnace for 3h and pulsed rapid thermal method for 5min was studied by using Raman,XRD and SEM.
为研究传统炉子退火与光退火固相晶化的不同特点,用石英玻璃作衬底,在室温、350℃和450℃下用PECVD法直接沉积非晶硅(a-S i:H)薄膜,把沉积的样品分别在850℃下用传统炉子退火3h、用光快速热处理(RTP)5m in,然后用Ram an、XRD和SEM分析对比,发现传统炉子退火后的晶粒分布不均匀,光退火后的晶粒分布均匀。
3.
Undoped amorphous silicon film deposited by PECVD at the temperature 200,250,300,350,400,450?℃ and stored for three months,then annealed at 450℃ has been studied by using micro-Raman scattering.
通过PECVD法,用玻璃作衬底在200,250,300,350,400,450℃下直接沉积非晶硅(a-Si:H)薄膜,并在避光状态下贮存3个月,把前后样品用拉曼光谱分析,发现非晶硅峰值480 cm-1基本消失;在石英玻璃100℃下沉积非晶硅薄膜在700℃下10 min,700℃下20 min,750℃下2 min,850℃下1 min;850℃下1 min,850℃下2 min,850℃下5 min,850℃下10 min分别用卤钨灯光照退火,发现850℃下5 min已经充分结晶。
4) Molybdenum
[英][mə'lɪbdənəm] [美][mə'lɪbdənəm]
Mo
1.
Influence of Ti6Al4V base temperature on properties of molybdenum alloying layer;
基体温度对Ti6Al4V表面渗Mo合金层性能的影响
2.
The microstructure exhibits an obvious trend to be fined with the addition of molybdenum.
采用纳米TiN、亚微米TiC和Mo等原材料,以金属Co作为粘结剂,利用真空烧结技术制备了细晶粒Ti(C,N)基金属陶瓷材料,研究了所得金属陶瓷的显微结构和力学性能。
3.
The molybdenum sheets doped with different contents of La2O3 (Mo-La2O3) were prepared by powder metallurgy and processing technology.
采用粉末冶金和压力加工方法制备了不同 La_2O_3含量 Mo-La_2O_3板材。
5) PECVD technique
PECVD技术
1.
Sillicon nanocrystals embedded in a－ SiO_x:H (0 PECVD technique and high－ temperature annealing treatment.
采用 PECVD技术制备的 a－ SiO_x:H (0 SiO_x:H基质的量子点复合膜（ nc－ Si/a－ SiO_x:H）。
6) high-pressure RF-PECVD
高压RF-PECVD
1.
The results about highly-crystallized,highly-conductive p-type microcrystalline silicon(μc-Si:H) prepared by high-pressure RF-PECVD are reported in this paper.
文中还对高压RF-PECVD能够制备p型微晶硅材料的生长机理和高电导机理进行了分析。
补充资料：1-amino-9,10-dihydro-9,10-dioxo-4-(phenylamino)-2-anthracenesulfonic aci mo
CAS：6408-78-2
分子式：C20H13N2NaO5S
分子质量：416.390
中文名称：弱酸性蓝AS；酸性蒽醌蓝；酸性蒽醌艳蓝；酸性蒽醌蓝A；弱酸蓝AS；酸性蒽醌绿GL；弱酸绿GS；弱酸艳绿GS；酸性媒介绿GS
英文名称：Weak acid blue AS；Acid anthraquinone green GL；C.I. Acid blue 25；1-amino-9,10-dihydro-9,10-dioxo-4-(phenylamino)-2-anthracenesulfonic aci mo；acid blue 25 (c.i. 62055)；C.1.Acid Blue 25(62055)；Acilan Direct Blue A；Alizqrine Supra Blue A；Erio Blue GRL；abcol brilliant blue rb
性状描述：蓝色粉末。溶于丙酮和醇类，微溶于苯和四氢萘，学溶于硝基苯和二甲苯。于浓硫酸中为暗蓝色，稀释后为蓝色沉淀。
生产方法：溴氨酸与苯胺综合,盐析而得
溴氨酸（100%） 585 碳酸钠（98%） 650 苯胺（99%） 530 盐酸（31%） 813
用途：主要用于羊毛，丝绸，锦纶及其混纺织物的染色。也可用于毛能上能下的染色和电化铝，肥皂等的着色。
分子式：C20H13N2NaO5S
分子质量：416.390
中文名称：弱酸性蓝AS；酸性蒽醌蓝；酸性蒽醌艳蓝；酸性蒽醌蓝A；弱酸蓝AS；酸性蒽醌绿GL；弱酸绿GS；弱酸艳绿GS；酸性媒介绿GS
英文名称：Weak acid blue AS；Acid anthraquinone green GL；C.I. Acid blue 25；1-amino-9,10-dihydro-9,10-dioxo-4-(phenylamino)-2-anthracenesulfonic aci mo；acid blue 25 (c.i. 62055)；C.1.Acid Blue 25(62055)；Acilan Direct Blue A；Alizqrine Supra Blue A；Erio Blue GRL；abcol brilliant blue rb
性状描述：蓝色粉末。溶于丙酮和醇类，微溶于苯和四氢萘，学溶于硝基苯和二甲苯。于浓硫酸中为暗蓝色，稀释后为蓝色沉淀。
生产方法：溴氨酸与苯胺综合,盐析而得
溴氨酸（100%） 585 碳酸钠（98%） 650 苯胺（99%） 530 盐酸（31%） 813
用途：主要用于羊毛，丝绸，锦纶及其混纺织物的染色。也可用于毛能上能下的染色和电化铝，肥皂等的着色。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条