1) bipolar transistor
双极型晶体管
1.
By comparing with bipolar transistor, LDMOS power transistor has many advantages especially on .
本文介绍了一种新型的功率器件：LDMOS功率晶体管，讲述了LDMOS功率晶体管的发展动态和应用前景，通过与双极型晶体管的对比，表明了该器件具有高增益等方面的优点。
2) Silicon bipolar junction transistor
硅双极型晶体管
3) BJT model
双极晶体管模型
4) IGBT
绝缘门极双极型晶体管
1.
When inverter power is developed as a large output power,it is usually limited by the electric current capacity of a single IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor).
该文针对逆变电源向大功率发展时受单管IGBT(绝缘门极双极型晶体管)电流容量限制的问题,受MOSFET(电力场效应晶体管)并联扩流成功应用的启发,提出采用多IGBT的并联技术,解决进一步提高逆变电源容量的难题。
5) isolation gate bipolar transistor(IGBT)
绝缘栅极双极型晶体管
6) PNP substrate transistor
衬底PNP型双极型晶体管
1.
The temperature related model and the influencing factor of two temperature sensing devices, subthreshold MOSFET and PNP substrate transistor, based on CMOS process were analyzed and compared, and pointed out that the PNP substrate .
对CMOS工艺下的两种感温元件,即亚阈值工作状态下的金属场效应晶体管(MOSFET)及衬底PNP型双极型晶体管(BJT)的温度模型和影响因素进行了分析和比较,指出了衬底PNP型BJT更适合作为温度传感器的温度敏感元件。
补充资料：双极型晶体管
| 双极型晶体管 bipolar transistor 由两个背靠背PN结构成的具有电流放大作用的晶体三极管。起源于1948年发明的点接触晶体三极管，50年代初发展成结型三极管即现在所称的双极型晶体管。双极型晶体管有两种基本结构：PNP型和NPN型。在这3层半导体中，中间一层称基区，外侧两层分别称发射区和集电区。当基区注入少量电流时，在发射区和集电区之间就会形成较大的电流，这就是晶体管的放大效应。双极型晶体管是一种电流控制器件，电子和空穴同时参与导电。同场效应晶体管相比，双极型晶体管开关速度快，但输入阻抗小，功耗大。双极型晶体管体积小、重量轻、耗电少、寿命长、可靠性高，已广泛用于广播、电视、通信、雷达、计算机、自控装置、电子仪器、家用电器等领域，起放大、振荡、开关等作用。 |
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