1) BSIT
双极型静电感应晶体管
1.
The Physical Research on the Dynamic Performance of BSIT;
双极型静电感应晶体管动态性能的物理研究
2.
Great attention has been paid to the Bipolar static Induction Transistor(BSIT) for its advantages, such as high current gain, low voltage arop and high turn on and turn off spead, etc.
双极型静电感应晶体管（ＢＳＩＴ）以其高电流增益，低饱和压降以及高的开关速度等优异性能受到人们的广泛关注。
2) B-SIT
双极性静电感应晶体管
3) power Transistor/MBSIT
电力晶体管/MOS控制双极型静电感应晶体管
4) SIT
[英][sɪt] [美][sɪt]
静电感应晶体管
1.
A Study on Electrical Parameters of SIT;
静电感应晶体管(SIT)电性能参数的研究
2.
The gate region of conventional SIT(static induction transistor)is usually prepared by B diffusion in n-type Si,the preparation is complex and high in cost,so a new recessed-gate Schottky barrier SIT was proposed.
传统的静电感应晶体管多采用扩硼的方法制备栅极区,这种工艺热预算较高,使得工艺复杂程度和生产成本较高,基于此提出并设计了一种新型的槽栅型肖特基势垒静电感应晶体管。
5) static induction transistor
静电感应晶体管
1.
Methods for improving the high current performance of static induction transistor (SIT) are presented.
描述了改善静电感应晶体管(SIT)大电流特性的新方法。
2.
The space charge effect (SCE) of static induction transistor (SIT) that occurs in high current region is systematically studied.
研究了静电感应晶体管(SIT)在大注入情况下出现的空间电荷效应,分析了空间电荷效应的物理机制。
3.
A cylindrical gates model of the static induction transistor is proposed and mirror method is used to calculate the distribution of electric potential.
针对埋栅型静电感应晶体管 (SIT)提出一种柱栅模型 。
6) switching characteristic/bipolar static inductive transistor
开关特性/双极型静电晶体管
补充资料：静电感应晶体管
| 静电感应晶体管 static induction transistor 源漏电流受栅极上的外加垂直电场控制的垂直沟道场效应晶体管。简称SIT。1971年由日本的西泽润一首创。70年代中期，它作为音频功率放大器件在日本得到迅速发展。SIT是一种电压控制器件。在零栅压或很小的负栅压时，靠近源极一侧的沟道中出现呈马鞍形分布的势垒，由源极流向漏极的电流完全受此势垒控制。在漏极上加一定电压后，势垒下降，源漏电流开始流动。漏压越高，源漏电流越大，亦即源漏极之间是靠漏电压的静电感应保持其电连接的 。SIT的特点是频率覆盖范围宽、功率覆盖范围大，广泛应用于高保真音响、电源、电机控制、通信机、雷达、导航和各种电子仪器中。同双极型晶体管相比，SIT具有线性好、噪声小，输入阻抗高、输出阻抗低，开关速度快，可靠性高，低温性能好等优点。 |
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参考词条