1) Bipolar transistor
双极晶体管
1.
A photocurrent compensation method of bipolar transistors under high dose rate radiation and its experimental research;
双极晶体管瞬态辐射光电流分流补偿法及其实验研究
2.
The circuit is constructed by a operational amplifier and bipolar transistor current mirrors with multiple outputs.
该电路由一集成运算放大器及多端输出的双极晶体管电流镜构成。
3.
The main structure and key performance parameters of the bipolar transistor were studied and designed,it was taped out and tested.
对双极晶体管结构和关键性能参数进行了研究和设计,并进行了流片测试。
2) Bipolar transistors
双极晶体管
1.
The peudo heterojunction bipolar transistor(PHBT) is a homojunction bipolar transistorhaving a moderately doped emitter and a heavily doped base, providing a bandgap profile similar toactual heterojunction bipolar transistors (HBT).
具有重掺杂基区和中等掺杂发射区的硅赝异质结双极晶体管（ＰＨＢＴ），其能带结构类似于真实异质结双极晶体管（ＨＢＴ）的能带结构，本文研究了硅赝异质结双极晶体管的电流增益，截止频率和基区电阻等电学参数性能及其与温度的关系，并指出了硅赝异质结双极晶体管在低温下应用的潜力。
2.
The apparent bandgap narrowing in bipolar transistors with ion implanted and epitaxial Si 0.
这种方法从双极晶体管的集电极电流公式出发 ,利用 VBE做自变量 ,在室温和液氮温度下测量器件的Gum mel图 ,选取 ln IC随 VBE变化最为线性的一部分读出 VBE及相应的 IC数值 ,获得两条 VBE- ln IC直线 ,通过求解两条直线的交点可以计算出基区的禁带变窄量ΔEG。
3) bidirectional bipolar transistor
双向双极晶体管
4) silicon dipole transistor
硅双极晶体管
1.
In order to research the relationship between ESD injected times and latent damage in silicon dipole transistors,HBM ESD impulses were injected into their most sensitive ports to ESD.
为研究硅双极晶体管中由ESD注入引起的潜在性失效与放电次数间的关系,对微波低噪声小功率硅双极器件进行了同一电压不同次数的人体模型ESD注入实验。
5) bipolar transistor
双极型晶体管
1.
By comparing with bipolar transistor, LDMOS power transistor has many advantages especially on .
本文介绍了一种新型的功率器件：LDMOS功率晶体管，讲述了LDMOS功率晶体管的发展动态和应用前景，通过与双极型晶体管的对比，表明了该器件具有高增益等方面的优点。
6) IGBT
绝缘双极晶体管
补充资料：异质结双极晶体管（heterojunctionbipolartransistor）
异质结双极晶体管（heterojunctionbipolartransistor）
简称HBT。将双极晶体管中的发射结做成异质结形成的晶体管称为异质结双极晶体管。双极晶体管中的异质结界面应做成突变结才能得到最高的少子注入效率。因为异质结宽带发射极的注入效率高，所以异质结双级晶体管的放大倍数将比同类型的普通双极晶体管高。如果不要求放大倍数十分高，则异质结注入比高的优点可利用来降低发射结的电容和基区的电阻，从而提高异质结双极晶体管的频率特性。如果将基区的组分做成渐变的形式，就相当于基区存在着一个等效电场，它将使注入的少子通过基区的渡越时间缩短，从而进一步提高异质结双极晶体管的频率响应。
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参考词条