1) Ge single crystal piece
锗单晶圆片
1.
9mm Ge single crystal piece ,And has used A,B,the C three kind of choice point plans,Result show that B plan can test electronic resistivity and nonuniformity of Ge single crystal piece with the few test points,It reflected the real performance and reliability of the material,And it simplified the experimental procedure.
9mm的半导体锗单晶圆片的电阻率进行测定,并采用了A、B、C等三种选点方案,结果表明:方案B用少量的测试点就能测定和计算出锗单晶的电阻率和不均匀性,它不仅反映出材料的真实性和保证其可靠性,而且简化了试验程序。
2) polished monocrystal germanium wafer
锗单晶抛光片
3) Wafers [silicon slices]
晶片(锗片)
4) Ge wafer
锗晶片
5) germanium monocrystalline
锗单晶体
6) SiGe bulk
硅锗单晶
1.
The distribution of impurity Ge in SiGe bulk single crystal which was grown by varying speed CZ was measured by using the SEM-EDS methods, and it was found that the Ge concentration varied from a lower value at head to a highter one at the tail of Si crystal which was doped Ge.
利用扫描电镜能谱分析法,对 CZ 法生长的掺锗浓度不同的硅锗单晶中锗浓度进行了测定,结果发现硅中锗的纵向分布是头部浓度较低,尾部锗浓度较高。
补充资料：辐射探测器用锗单晶
辐射探测器用锗单晶
germanium crystal for radiation detector
fushe toneeqlyong zhedonjlng辐射探测器用锗单晶(germanium erystalfor radiation deteetor)辐射探测器是一种将核辐射线转换成电学信号的器件。这种探测器实际上是一个反向偏置二极管，在高反向偏压作用下，形成很宽的耗尽区(灵敏区)，当射线进入时产生电子空穴对，在耗尽区电场作用下被收集，产生脉冲电荷被记录下来。锗辐射探测器有高纯锗探测器与锗(锉)探测器，前者正逐步取代后者。 早期探测器为气体计数器和闪烁计数器如Nal(T!)，后来发展为半导体探测器。1949年制出了第个锗探测器测量a粒子，后来相继出现锗(锉)及硅(锉)探测器。Ge(Li)探测器体积达Zoocm3，分辨率为1.8一2.okeV(CoS0z.33MeV)。但Ge(Li)探测器不仅要在液氮下工作而且还要在液氮下保存。70年代初制成了高纯锗(HPGe)探测器，避免用液氮保护，简化了探测器制作工艺，现正逐步取代Ge(I，i)探测器。就其灵敏体积与分辨率.HPGe探测器已达到Ge(Li)探测器的同等水平。 Ge(Li)探测器用单晶要求掺入单一的p型杂质，一般为稼，这样用铿漂移可以达到精确补偿，所以用高纯的多晶在纯氢或纯氢中提纯和生长单晶，使晶体中氧含量低于1只101头/c m3，防止氧与铿作用产生Li一0沉淀，因此要求锗单晶铿漂移迁移率大干1只10训cm/(V.S)。化学与物理提纯注意对深能级杂质铜、银、镍、钻、铁和硫系元素的净化，因为它们大多是严重的空穴陷阱，影响探测器分辨率。生长Ge(I_i)单晶和HPGe探测器用单晶利用合理热场，避免系属结构和位错团，因为它们是空穴陷阱，位错应在5火1。“/c mZ以内，无位错或低位错会产生大量的空位也是严重的空穴陷阱，对于耗尽层宽度为厘米级HPGe同轴探测器，要求高纯锗单晶的净杂质浓度为镇Zxlo，。/c m3，因此需要在有碳和二氧化硅涂层的石英舟内进行深度多级区域提纯，以获得101。/cm“杂质浓度的高纯多晶，然后在人造高纯石英增竭内，多次再结晶生长单 曰日日。 Ge(L，)和HPGe探测器适用于高低能谱区(X、Y)射线，广泛应用于冶化分析，X射线荧光分析，金属探矿(铀、金)，石油测井，煤田勘探，核医疗诊断，空间物理和射电天文学以及环境监测等各领域。
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参考词条