1) Ge single crystal
锗金属单晶
1.
A practical and effective whole plate processing technology was proposed for Ge single crystal pieces based on the physical features of Ge single crystals and lots of experiments.
根据锗金属单晶材料的物理性能特点,在大量试验的基础上,探索出一套行之有效的锗金属单晶整盘加工工艺。
2) single crystal metal
单晶金属
1.
A set of experiments designed to study the anisotropic spatial dependence of second harmonic generation (SHG) from the surface of single crystal metals were presented.
主要介绍了当激光入射到单晶金属Al2O3／Al(111)表面时将发生二次谐波产生(SHG)现象的实验装置和实验方法,利用该装置可以研究SHG和从Al2O3／Al(111)表面反射的SHG在空间各向异性的变化情况,从而可以探测Al2O3／Al(111)表面结构对称性。
3) germanium monocrystalline
锗单晶体
4) SiGe bulk
硅锗单晶
1.
The distribution of impurity Ge in SiGe bulk single crystal which was grown by varying speed CZ was measured by using the SEM-EDS methods, and it was found that the Ge concentration varied from a lower value at head to a highter one at the tail of Si crystal which was doped Ge.
利用扫描电镜能谱分析法,对 CZ 法生长的掺锗浓度不同的硅锗单晶中锗浓度进行了测定,结果发现硅中锗的纵向分布是头部浓度较低,尾部锗浓度较高。
5) single crystal of germanium
锗单晶<冶>
6) single crystal germanium
单晶锗
补充资料：区域匀平法锗单晶
区域匀平法锗单晶
zone leveling germanium single crystal
quyu yunPingfa zhedanJ!ng区域匀平法锗单晶(zone levelsng geroani-um single erystal)用水平区熔法生长的锗单晶是一种半导体锗材料。在充氮和氢混合气体的水平区熔炉中，以高频感应加热，在料舟始端的籽晶与多晶料锭处产生一熔区，待掺杂的杂质也加人到这开始的熔区中，然后使熔区以1~Zmm/min的速度向料舟的另一端移动，单晶便在籽晶上不断生长。当熔区通过整个料舟后，单晶便生长完毕。由于杂质的分凝效应，加入到开始熔区中的掺杂剂便比较均匀地分布在整个单晶锭上(最末端一个熔区的长度除外)，故称区域匀平法。 区域匀平法锗单晶为梯形截面，电阻率沿长度分布均匀，产品合格率高。而且设备简单，容易操作，因而成本低。但由于热场不对称，单晶受到料舟的束缚，故晶体的完整性较差。区域匀平法在国外广泛用于生长锗单晶。这种单晶主要用于制造二极管和晶体管。 (余怀之马绍芳)
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参考词条