1) HfOxNy thin films
氮氧化铪薄膜
1.
HfOxNy thin films were deposited by radio frequency reactive magnetron sputtering onto multi-spectral ZnS substrates at different oxygen partial pressure.
用磁控反应溅射法在不同氧分压下制备了氮氧化铪薄膜。
2.
HfOxNy thin films were deposited by RF reactive magnetron sputtering on multi-spectral ZnS substrates at different oxygen partial pressure.
采用射频磁控反应溅射法在不同氧分压条件下制备了氮氧化铪薄膜,薄膜沉积过程在氧气、氮气和氩气的混合气氛中进行,所用衬底为多光谱硫化锌材料。
2) HfON protective films
氮氧化铪保护膜
3) HfTiON
氮化氧化钛铪
4) Si Ox Ny thin film
氮氧化硅薄膜
5) oxynitride film
氮氧化合物薄膜
6) SiOxNy films
硅氧氮薄膜
补充资料：氧化铪
CAS：12055-23-1
分子式：HfO2
分子质量：210.48
熔点：2812℃
中文名称：氧化铪
英文名称：hafnium oxide；hafnium oxide
分子式：HfO2
分子质量：210.48
熔点：2812℃
中文名称：氧化铪
英文名称：hafnium oxide；hafnium oxide
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条