1) Plasma enhanced metal-organic chemical vapour deposition
等离子体增强金属有机化合物化学气相沉积
2) ECR-PEMOCVD
电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积
1.
GaN films were deposited on corning 7101 glass substrates by electron cyclotron resonance plasma enhanced metal organic chemical vapor deposition(ECR-PEMOCVD) system.
采用电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积(ECR-PEMOCVD)方法在康宁7101型普通玻璃衬底上沉积了GaN薄膜,利用反射高能电子衍射(RHEED)、X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)和霍尔测量系统对样品进行了检测,研究了其结晶性和电学特性随沉积温度的变化。
3) MOPCVD
金属有机物等离子体化学气相沉积
4) plasma assisted MOCVD
等离子体辅助金属有机化学气相沉积
1.
We present the results of UV photodetectors fabricated on ZnO epitaxial films grown on c-plane sapphiresubstrates by plasma assisted MOCVD.
利用新型的等离子体辅助金属有机化学气相沉积(P-MOCVD)系统在蓝宝石、硅等衬底上生长出具有单一c轴取向、高阻的ZnO薄膜,利用添加的等离子体发生装置,进行氮掺杂获得高阻ZnO薄膜。
5) Inductively coupled plasma enhance chemical vapor deposition (ICPECVD)
感应耦合等离子体增强化学气相沉积
6) plasma-assisted metal-organic chemical vapor deposition
等离子体金属有机物化学汽相淀积
1.
ZnO films have been grown on C-plane sapphire substrate with the plasma-assisted metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD) method.
生长在蓝宝石C面上的ZnO薄膜是通过等离子体金属有机物化学汽相淀积方法获得的 ,由其X光衍射得知 ,生长过程中分段退火和最后退火在薄膜中分别引入了张应力和压应力。
补充资料：金属有机化合物化学气相沉积
分子式：
CAS号：
性质：用金属有机化合物热分解进行气相外延生长的方法。其基本原理是将含有外延材料组分的金属有机化合物气体通过载气输送到反应室，在一定温度下进行外延生长。MOCVD技术主要应用于III-V族II-VI族化合物半导体超晶格量子阱等低维材料生长和多元固溶体的多层异质结构材料的生长，还可用于制备高温超导薄膜，铁电薄膜，传感器薄膜，太阳能电池薄膜及其他金属薄膜。该技术工艺可控，操作简便及适用于大规模生产等优点。其缺点是所用源材料为易燃剧毒物质。
CAS号：
性质：用金属有机化合物热分解进行气相外延生长的方法。其基本原理是将含有外延材料组分的金属有机化合物气体通过载气输送到反应室，在一定温度下进行外延生长。MOCVD技术主要应用于III-V族II-VI族化合物半导体超晶格量子阱等低维材料生长和多元固溶体的多层异质结构材料的生长，还可用于制备高温超导薄膜，铁电薄膜，传感器薄膜，太阳能电池薄膜及其他金属薄膜。该技术工艺可控，操作简便及适用于大规模生产等优点。其缺点是所用源材料为易燃剧毒物质。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条