1) DC reactive sputtering
直流反应溅射
1.
Preparation of Y_2O_3 buffer layer by DC reactive sputtering;
直流反应溅射法制备Y_2O_3隔离层的研究
2.
We have selected DC reactive sputtering to deposit AlN-Si3N4 film.
用直流反应溅射沉积AlN－Si3N4膜。
2) DC reactive co-sputtering
直流反应共溅射
3) DC reactive magnetron sputtering
直流反应磁控溅射
1.
Influence of substrate-to-target distance on optical property of TiO_2 thin film prepared by DC reactive magnetron sputtering;
靶基距对直流反应磁控溅射制备TiO_2薄膜光学性质的影响
2.
TiO_2 thin films were deposited on ITO, which has been deposited on quartz substrate, by way of DC reactive magnetron sputtering.
采用直流反应磁控溅射的方法,溅射高纯钛靶在ITO石英衬底上制备了TiO2薄膜。
3.
N-doped ZnO thin films were prepared on glass substrates by DC reactive magnetron sputtering using a pure zinc disk as target and Ar-N2-O2 mixture as sputtering gas.
利用直流反应磁控溅射法(纯金属锌作为靶材,Ar-N2-O2混合气体作为溅射气体)在石英玻璃衬底上制备了N掺杂p型ZnO薄膜。
4) reactive d.c.magnetron sputtering
反应直流磁控溅射
1.
The SiO_2 films at various O_2/Ar flow ratios were prepared by reactive d.
在不同氧氩比例气氛下,采用反应直流磁控溅射方法制备了SiO2薄膜。
5) dc reactive magnetron sputtering
直流反应磁控溅射法
1.
CdIn2O4(CIO) thin films were grown by DC reactive magnetron sputtering.
利用直流反应磁控溅射法制备了CdIn2O4(CIO)薄膜,研究了氧浓度、基片温度、溅射时间和退火处理对薄膜光电性能的影响。
2.
A novel type of transparent conductive oxide thin film of molybdenum-doped indium oxide(IMO) was prepared by DC reactive magnetron sputtering at room temperature.
在室温条件下采用直流反应磁控溅射法制备了新型透明导电In2O3∶Mo薄膜。
6) DC magnetron reactive sputtering
直流磁控反应溅射
1.
AlN thin films for high temperature pressure sensor were successfully deposited by DC magnetron reactive sputtering.
采用直流磁控反应溅射法制备了高温压力传感器用的AlN薄膜。
2.
Aluminum nitride (AlN) thin films have been successfully deposited on Si(100) and Pt/Ti/Si(100) byDC magnetron reactive sputtering.
采用直流磁控反应溅射法,在Si(100)和Pt/Ti/Si(100)上制备了具有较好(002)择优取向性的AlN薄膜。
3.
Aluminum nitride (AlN) thin films have been successfully deposited on Si(100) and Pt/Ti/Si(100) by DC magnetron reactive sputtering.
采用直流磁控反应溅射法,在Si(100)和Pt/Ti/Si(100)上制备了AlN薄膜。
补充资料：直流溅射
分子式：
CAS号：
性质：利用直流辉光放电产生的离子轰击靶材进行溅射镀膜的技术。直流溅射装置主要由真空室、真空系统和直流溅射电源构成。靶材(接阴极)表面溅射出来的原子沉积在基片或工件(阳极)上，形成镀层。两极之间加2～3kV直流电压，阴极附近形成高密度的等离子体区，直流电压使离子加速轰击靶材表面，发生溅射效应。由靶材表面溅射出来的原子趋向基片。如在平行于靶面的方向加上环形磁场，则称为直流磁控溅射。直流溅射由于镀膜速率太低，限制了大规模工业化应用。
CAS号：
性质：利用直流辉光放电产生的离子轰击靶材进行溅射镀膜的技术。直流溅射装置主要由真空室、真空系统和直流溅射电源构成。靶材(接阴极)表面溅射出来的原子沉积在基片或工件(阳极)上，形成镀层。两极之间加2～3kV直流电压，阴极附近形成高密度的等离子体区，直流电压使离子加速轰击靶材表面，发生溅射效应。由靶材表面溅射出来的原子趋向基片。如在平行于靶面的方向加上环形磁场，则称为直流磁控溅射。直流溅射由于镀膜速率太低，限制了大规模工业化应用。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条