1) subthreshold characteristics
反常亚阈值特性
1.
Some characteristics of the partially depleted CMOS/SOI device are also discussed,such as “float-body” effect,“kink” effect,and anomalous subthreshold characteristics,etc.
同时 ,对部分耗尽 SOI器件特性 ,如“浮体”效应、“kink”效应和反常亚阈值特性进行了讨
2) subthreshold characterization
亚阈特性
1.
In the paper we discussed the interface effect of subthreshold characterization parameter on a Si TFT with a Si:H/a SiN x :H heterojunction and the thickness effect of active layer by using effective interface state density.
实验结果表明 :亚阈特征参数主要由异质界面的有效界面态密度决定 ,当 NH3/Si H4 比增加时亚阈特征参数下降 ,增加 a-Si Nx 材料的淀积温度 ,可使亚阈特性得到明显的改善 ,a-Si:H有源层的厚度减小 ,抑制了亚阈参数的增加 ,阈值电压也减小并趋于稳定 ,且 TFT的 ION/IOF F随有源层厚度呈现近似抛物线状变化规律。
3) threshold characteristics
阈值特性
1.
Analysis of threshold characteristics of HH model and parameter fitting.;
HH模型阈值特性分析及参数空间拟合
2.
The threshold characteristics of strain compensated multi quantum well lasers are analyzed theoretically.
从理论上分析了应变补偿多量子阱激光器的阈值特性，并以ＩｎＧａＡｓ（Ｐ）体系为例，分别对应变补偿结构和普通应变多量子阱激光器进行了数值计算。
4) Threshold property of lasers
激光阈值特性
5) sub-threshold
亚阈值
1.
To meet the even higher reguirements of new types of microelectronic products for voltage reference,a unit-circuit of low-voltage reference source based on sub-threshold MOS has been developed.
为了满足新型微电子产品对电压基准提出的更高要求,提出了一种基于亚阈值MOS的低电压基准源单元电路,该基准源单元电路采用TSMC0。
2.
In order to effectively decrease the power consumption of analog integrated circuits and improve the technology compatibility,a design method of low-voltage low-power consumption voltage reference with fully CMOS configuration is presented based on the MOS transistors in sub-threshold region.
该方法基于工作在亚阈值区的MOS管,利用PTAT电流源与微功耗运算放大器构成负反馈系统以提高电源电压抑制比。
3.
The design adopts MOS transistor working at sub-threshold region to enhance robust of circuit.
给出了一种应用于低温光敏探测器读出电路的可编程电流源,工作在液氮环境(77K),无外加单元,与一般电流源设计不同,本设计将部分MOS管设计在亚阈值区工作来提高电路工作稳定性。
6) sub-threshold region
亚阈值区
1.
It is based on the gate-source voltage of an NMOS operating in sub-threshold region and a PTAT voltage produced by the weighted difference of the gate source voltage of two different NMOSs.
本文利用工作在亚阈值区的NMOS管的栅源电压,结合由两个栅源电压之差产生的一个PTAT(与绝对温度成正比)电压,提出了一种用于电流模基准源的新的高阶补偿方法。
2.
When a MOSFET is working at the sub-threshold region,its IDS-VGScharacteristic is exponential.
文章利用工作在亚阈值区MOS管的I-V指数特性,分别对低温及高温条件下VBE的高阶非线性项进行了补偿,从而实现了高精度基准电压。
3.
The sub-threshold region was divided into a forward sub-threshold region and a reverse sub-threshold region.
研究了将非晶硅薄膜晶体管(a-Si∶HTFT)在电路模拟程序(SPICE)中使用的亚阈值区模型,将亚阈值区分为亚阈值前区和亚阈值后区并建立了模型,对比了不同模型下的模拟结果,发现亚阈值区的TFT特性依赖于材料性质,而且亚阈值前区和亚阈值后区的特性受栅源电压VGS和漏源电压VDS的影响,呈指数变化。
补充资料：地理阈值
亦称地理临界值。它将地理系统中的不同状态加以分隔与区分，把某一性质的表现范围加以限制和说明。在此种意义上，地理阈值代表了系统的“状态空间”的非连续性。在一般叙述中，常把地理阈值等同于地理系统边界条件，但二者是有区别的：如果两种不同的状态同时存在于相同的边界条件之中时，地理阈值的表现可能是“非传递性”的转移；而当两种不同状态分置于不同的边界条件之中时，地理阈值的表现可能是“过渡性”地转移。无论是非传递性转移的地理阈值，还是过渡性转移的地理阈值，都使地理系统中不可能具备唯一的、通用的或稳定的解。所谓“解”都是有条件的，都是在地理阈值约束下的解。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条