1) trivinylgallium
三乙烯基镓
2) triethyl gallium
三乙基镓
3) triethylgallium
三乙基化镓
4) high-purity triethylgallium
高纯三乙基镓
5) allylgallium
烯丙基镓
6) trimethylgallium
三甲基镓
1.
The present with trimethylgallium(TMG), triethylindium(TEI) and AsH3(100%), PH3 (100) as group Ⅲ and group Ⅴ sources respectively the In1-xGaxAs/InP multiquantum trap structure matetsals, were grown by organometallic vapor epitaxy (MOVPE) technique at a low temperature and low pressure.
本文报导了在低温、低压下,以三甲基镓(TMG)、三乙基铟(TEI)为Ⅲ族源材料,100％砷烷(AsH_3)、100％磷烷(PH_3)为V族源材料,用金属有机化合物气相沉积技术在(100)InP衬底上生长出In_(1-x)Ga_xAs/InP多量子阱结构材料。
补充资料：三乙烯基镓
分子式：(CH2=CH)3Ga
CAS号：
性质：液体。沸点45℃（13.33Pa）。水解生成乙烯。由金属镓与二乙烯基汞反应制得。是金属有机合成试剂。
CAS号：
性质：液体。沸点45℃（13.33Pa）。水解生成乙烯。由金属镓与二乙烯基汞反应制得。是金属有机合成试剂。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条