1) transformation
多晶转变
2) polymorphic,transformation
(同质)多晶转变
3) polycrystalline
多晶
1.
Purification and stoichiometric concentration control of ZnSe polycrystalline by zone sublimation method;
ZnSe多晶料的提纯与化学比的控制
2.
Research on preparation and structure of porous B-doped polycrystalline diamond;
多孔含硼金刚石多晶体的制备与结构研究
3.
Growth and Characterization of Polycrystalline HgI_2 Films on Amorphous-Si Film Substrate;
非晶硅薄膜上碘化汞多晶薄膜的生长及其性能
4) Polycrystal
多晶
1.
Study of Preparation of Polycrystalline Material of La_(0.5)Sr_(0.5)CoO_3;
La_(0.5)Sr_(0.5)CoO_3多晶靶材制备工艺的研究
2.
Growth of Polycrystalline GaN on Silica Substrate via Ga Nitridation;
采用金属镓层氮化技术在石英衬底上生长多晶GaN
5) polycrystalline silicon
多晶硅
1.
Large grain-sized polycrystalline silicon film obtained by SPC of a-Si: H film deposited by PCVD;
a-Si:H薄膜固相晶化法制备大晶粒多晶硅薄膜
2.
Status and development of photovoltaic industry and producing technology of polycrystalline silicon;
光伏产业和多晶硅技术现状与发展
3.
ESD protection devices on polycrystalline silicon;
ESD保护器件在多晶硅上的实现
6) multicrystalline silicon
多晶硅
1.
Phosphorous gettering of cast multicrystalline silicon wafers from different positions of the ingot;
铸造多晶硅硅片的磷吸杂研究
2.
on electrical properties of multicrystalline silicon prepared by metallurgic method was investigated.
利用四探针电阻测试仪、光学显微镜、扫描电镜、电感耦合等离子发射光谱仪、能谱分析等设备,从晶粒尺寸、组织形态以及晶界析出物等对冶金法制备的多晶硅电阻率的影响。
3.
It is described that a series research of heavy phosphorous diffusion gettering, aluminum and combination of aluminum and phosphorous gettering (evaporation of aluminum on the back of the wafers) are used to fabricate multicrystalline silicon solar cells with different impurity concentration of interstitial oxygen.
对不同氧含量的太阳电池用多晶硅片进行了磷扩散吸杂,铝吸杂及磷铝联合吸杂的研究,用准稳态光电导衰减法(QSSPCD)和太阳电池效率测试系统测试了吸杂前后多晶硅片的少子寿命和IV曲线。
参考词条
补充资料:多晶转变
分子式:
CAS号:
性质:又称多晶转变。同种物质由于环境温度变化,材料中晶体结构发生相应变化的现象。晶型转变的温度称为转变点,也即相变点。晶型转变可分为可逆和不可逆转变两大类。还有快速转变(即位移型)和慢速转变(即断键重组型)之分。由于不同晶型比重不同,内部质点排列不同,因此晶型转变时伴有体积变化、导电率变化和比热容变化等现象发生,对材料生产工艺和使用有重要影响。例如β石英←→α石英在573℃时发生快速转变,而石英、鳞石英和方石英之间的转变属慢转变。又如ZrO2单斜←→四方之间的转变在1170℃时快速进行,并伴有显著体积变化,加热时收缩,冷却时膨胀,两种晶型可反复瞬时转变,利用多晶转变现象产生的微裂纹可达到增加陶瓷材料韧性之目的。
CAS号:
性质:又称多晶转变。同种物质由于环境温度变化,材料中晶体结构发生相应变化的现象。晶型转变的温度称为转变点,也即相变点。晶型转变可分为可逆和不可逆转变两大类。还有快速转变(即位移型)和慢速转变(即断键重组型)之分。由于不同晶型比重不同,内部质点排列不同,因此晶型转变时伴有体积变化、导电率变化和比热容变化等现象发生,对材料生产工艺和使用有重要影响。例如β石英←→α石英在573℃时发生快速转变,而石英、鳞石英和方石英之间的转变属慢转变。又如ZrO2单斜←→四方之间的转变在1170℃时快速进行,并伴有显著体积变化,加热时收缩,冷却时膨胀,两种晶型可反复瞬时转变,利用多晶转变现象产生的微裂纹可达到增加陶瓷材料韧性之目的。
说明:补充资料仅用于学习参考,请勿用于其它任何用途。