1) Modified bias sputtering
调制偏压溅射
2) sputtering bias-voltage
溅射偏压
1.
The effects of substrate temperature and sputtering bias-voltage on film stru.
并研究了溅射偏压对有机衬底 ZnO:Al 薄膜结构及光电特性影响,最佳负偏压为 60 V。
3) bias sputtering
偏压溅射
4) bias modulation
偏压调制
5) DC bias-voltage sputtering
直流偏压二极溅射
1.
In this work the authors discussed the fabrication of NbN thin films deposited using two methods: reactive magnetron sputtering system and DC bias-voltage sputtering system.
采用磁控溅射和直流偏压二极溅射两种方法制备了NbN薄膜。
6) sputtering pressure
溅射气压
1.
Effect of sputtering pressure on the microstructure and anisotropic magnet-resistance of Ni80Fe20 thin films;
溅射气压对Ni_(80)Fe_(20)薄膜微结构和各向异性磁电阻的影响
2.
Effects of sputtering pressure on electrical and optical properties of transparent conducting ZnO thin film
溅射气压对ZnO透明导电薄膜光电性能的影响
3.
Effects of sputtering conditions,such as substrate temperature and sputtering pressure,on the AMR of Ni80Fe20 thin films prepared by magnetron sputtering have been investigated.
研究了基片温度和溅射气压对磁控溅射方法制备的Ni80Fe20磁性薄膜各向异性磁电阻的影响。
补充资料：磁控溅射
分子式：
CAS号：
性质：用一个环形永久磁体在乎板形靶上产生环形磁场，在磁场作用下，电子被约束在一个环状空间内，形成高密度的等离子环。在等离子环内，电子不断地使Ar原子变成Ar离子，Ar离子被加速后打向靶表面，把靶内的原子溅射出来，沉积在基片上形成薄膜。若靶材为导体，溅射电源可用直流或射频电源，如靶材是绝缘体，则必须用射频电源。用多源共溅射加后处理法可制备双面薄膜。将基片放置在靶中心线上，称为正轴溅射，基片放在靶轴线外；称为偏轴溅射。磁控溅射是广泛采用的制膜方法。
CAS号：
性质：用一个环形永久磁体在乎板形靶上产生环形磁场，在磁场作用下，电子被约束在一个环状空间内，形成高密度的等离子环。在等离子环内，电子不断地使Ar原子变成Ar离子，Ar离子被加速后打向靶表面，把靶内的原子溅射出来，沉积在基片上形成薄膜。若靶材为导体，溅射电源可用直流或射频电源，如靶材是绝缘体，则必须用射频电源。用多源共溅射加后处理法可制备双面薄膜。将基片放置在靶中心线上，称为正轴溅射，基片放在靶轴线外；称为偏轴溅射。磁控溅射是广泛采用的制膜方法。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条