1) Catalytic vapour deposit(CVD)
催化气相沉积
2) Catalytic chemical vapor deposition
催化化学气相沉积
1.
Carbon nanotubes (CNTs) were prepared in batch process by catalytic chemical vapor deposition (CCVD) using a nano agglomerate bed.
在纳米聚团床中用催化化学气相沉积法批量制备了碳纳米管 ,研究了过渡金属催化剂对碳纳米管形貌和产量的影响 。
2.
Production of carbon nanotubes (CNTs) by catalytic chemical vapor deposition (CCVD) was studied using a nano-agglomerate fluidized bed with 44 mm inner diameter and 1000 mm height in the temperature range of 550~750oC.
采用催化化学气相沉积法(CCVD),在550~750oC温度范围内,于内径44 mm、高1000 mm的石英管纳米聚团床中制备了碳纳米管;通过SEM, TEM, TGA等多种分析手段对碳纳米管产品的形貌和质量进行了分析;把相同条件下的纳米聚团床法与前人固定催化剂法的结果进行了比较,并考察了纳米聚团床中反应条件对碳纳米管生长的影响;通过对电镜照片和反应转化率动态数据的深入分析,对纳米聚团床中碳纳米管生长机理的特殊性进行了初步探讨。
3.
Polysilicon thin films are deposited by catalytic chemical vapor deposition method.
以金属钨为催化热丝,采用热丝催化化学气相沉积,在300℃的玻璃衬底上沉积多晶硅薄膜。
3) catalyst-enhanced chemical vapor deposition (CECVD)
催化增强化学气相沉积
1.
Pd/Pt and Pt/Pd bilayer films on polyimide are prepared by catalyst-enhanced chemical vapor deposition (CECVD) in the carrier gases of N2, O2 at 250～300 ℃under a reduced pressure and a normal pressure.
以N2、O2作载气,采用催化增强化学气相沉积(CECVD)法,于250~300℃和减压/常压下制得沉积于聚酰亚胺(PI)上的Pt,Pd/Pt和Pt/Pd金属双层薄膜。
4) catalytic chemical vapor deposition (Cat-CVD)
催化化学气相沉积(Cat-CVD)
5) CCVD
催化化学气相沉积法
1.
The SWCNTs growth by CCVD is strongly affected by catalysts, growth time and synthesis temperature .
催化化学气相沉积法(CCVD)制备SWCNTs的过程中，催化剂的特性，反应时间，反应温度等反应条件的选择直接影响生成SWCNTs的质量。
6) Floating Catalytic Chemical Vapor Deposition
浮游催化化学气相沉积
补充资料：等离子化学气相沉积
分子式：
CAS号：
性质：PCVD 化学气相沉积(CVD)法是制备无机材料，尤其是无机薄膜和涂层的一种重要手段。用等离子辅助CVD，可在较低的温度下沉积，涂层均匀不剥落。
CAS号：
性质：PCVD 化学气相沉积(CVD)法是制备无机材料，尤其是无机薄膜和涂层的一种重要手段。用等离子辅助CVD，可在较低的温度下沉积，涂层均匀不剥落。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条