1) trimethylgallium
三甲基镓
1.
The present with trimethylgallium(TMG), triethylindium(TEI) and AsH3(100%), PH3 (100) as group Ⅲ and group Ⅴ sources respectively the In1-xGaxAs/InP multiquantum trap structure matetsals, were grown by organometallic vapor epitaxy (MOVPE) technique at a low temperature and low pressure.
本文报导了在低温、低压下,以三甲基镓(TMG)、三乙基铟(TEI)为Ⅲ族源材料,100％砷烷(AsH_3)、100％磷烷(PH_3)为V族源材料,用金属有机化合物气相沉积技术在(100)InP衬底上生长出In_(1-x)Ga_xAs/InP多量子阱结构材料。
2) TMGa flow rate
三甲基镓流量
3) high-purity trimethylgallium
高纯三甲基镓
4) Triarylgalliums
三芳基镓
1.
Studies on Reaction of Triarylgalliums with α,β-unsaturated ketones;
三芳基镓与α,β—不饱和酮反应的研究
5) Organogallium compounds
三烃基镓
1.
The reaction of Organogallium compounds(R3Ga)with acyl (aryl)chlo-ride has been sttidied.
研究了三烃基镓化合物与酰氯的反应。
6) triethyl gallium
三乙基镓
补充资料：三甲基镓
分子式：(CH3)3Ga
CAS号：
性质：无色透明有毒液体。熔点-15.7℃。沸点55.8℃(10.16kPa)。密度1.151g/cm3。具有挥发性。以单体存在。在空气中自燃。它易与给予体配位。溶于乙醚、液氨时，形成配位化合物三甲镓合乙醚(CH3)3Ga·O(C2H5)2、三甲镓合氨(CH3)3Ga·NH3等。三甲镓合乙醚的部分水解产物为氢氧化二甲镓四聚体[(CH3)2GaOH]4晶体，它溶于酸生成二水合二甲镓阳离子[(CH3)2Ga(H2O)2]+，溶于碱生成二氢氧化二甲镓[(CH3)2Ga(OH)2]，可用金属镓置换三甲基汞中的汞制取，亦可由三氯化镓与氯化甲基汞(CH3)HgCl在乙醚中反应（脱除氯化汞）制取。用三甲基铝与三氯化镓反应可生成三甲基镓和(CH3)2AlCl2。经蒸馏、加KF，再用物化方法提纯可得99.999%产品。可用于金属有机化学气相沉积（MOCVD），制备GaAs，AsGaAl等半导体化合物等。并用于有机镓化合物中间体。
CAS号：
性质：无色透明有毒液体。熔点-15.7℃。沸点55.8℃(10.16kPa)。密度1.151g/cm3。具有挥发性。以单体存在。在空气中自燃。它易与给予体配位。溶于乙醚、液氨时，形成配位化合物三甲镓合乙醚(CH3)3Ga·O(C2H5)2、三甲镓合氨(CH3)3Ga·NH3等。三甲镓合乙醚的部分水解产物为氢氧化二甲镓四聚体[(CH3)2GaOH]4晶体，它溶于酸生成二水合二甲镓阳离子[(CH3)2Ga(H2O)2]+，溶于碱生成二氢氧化二甲镓[(CH3)2Ga(OH)2]，可用金属镓置换三甲基汞中的汞制取，亦可由三氯化镓与氯化甲基汞(CH3)HgCl在乙醚中反应（脱除氯化汞）制取。用三甲基铝与三氯化镓反应可生成三甲基镓和(CH3)2AlCl2。经蒸馏、加KF，再用物化方法提纯可得99.999%产品。可用于金属有机化学气相沉积（MOCVD），制备GaAs，AsGaAl等半导体化合物等。并用于有机镓化合物中间体。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条