1) TiAlN layer
TiAlN膜
1.
This is the developing directions of TiAlN layer in future study.
其中薄膜多层化及添加其它元素都是获得具有优良的结合强度、硬度、耐磨性和高温抗氧化性能薄膜的重要手段 ,是今后TiAlN膜的重要发展方
2) TiAlN thin film
TiAlN薄膜
1.
Preparing TiAlN thin films by filtered cathode vacuum plasma deposition(FCVPD);
磁过滤阴极真空弧沉积法制备TiAlN薄膜的研究
4) TiAlN film
TiAlN薄膜
1.
The TiAlN films and ZnO films were deposited by a reactive magnetron sputtering system.
使用磁控溅射技术制备了TiAlN薄膜和ZnO薄膜。
5) TiAlN films
TiAlN薄膜
1.
The properties and microstructure of TiAlN films deposited by arc ion plating compounded with intermediate frequency unbalanced magnetron sputtering;
电弧离子镀与中频磁控溅射复合制备TiAlN薄膜的研究
2.
The results show that the fairly smooth and compact DLC/TiAlN films,about 1 μm in thickness with strong inte.
实验及分析结果表明:DLC/TiAlN薄膜平均膜厚为1。
3.
The TiAlN films were deposited on polished surface of Si(100) wafer and high speed steel separately by arc ion plating compounded with intermediate frequency unbalanced magnetron sputtering.
采用Ti靶电弧离子镀与Al靶中频磁控溅射相结合的复合工艺,分别在单晶硅抛光面和高速钢抛光面两种基体上成功地制备了TiAlN薄膜样品。
6) TiAlN films
TiAlN膜层
1.
TiAlN films were prepared on the Ti-6.
采用高纯铝、钛双靶源在TC11基材上沉积制备了TiAlN膜层,并分析研究了膜层微观特性。
2.
To improve the tribological performances of titanium alloy,TiAlN films were prepared on TC4 alloy surface by using arc ion plating with TiAl alloy target and Ti target combined Al target,respectively.
利用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、划痕仪和显微硬度计研究了TiAlN膜层的结构、形态、硬度和膜基结合强度。
补充资料：电解食盐水溶液离子膜电解槽所用的膜材料之一
分子式：
CAS号：
性质：又称全氟羧酸-磺酸复合离子膜 Rf-COOH-Rf-SO3H 电解食盐水溶液离子膜电解槽所用的膜材料之一。使用时，将较薄的羧酸层面向阴极，较厚的磺酸层面向阳极，因而兼有羧酸膜和磺酸膜的优点。由于Rf-COOH层的存在，可阻挡氢氧离子返迁移到阳极室，确保了高的电流效率（96%），因Rf-SO3层的电阻低，能在高电流密度下运行，且阴极液可用盐酸中和，产品氯气中氧含量低，氢氧化钠浓度可达33%～35%。可在全氟磺酸膜上涂敷一层全氟羧酸的聚合物，或是将磺酸膜和羧酸膜进行层压，或是采用化学方法处理而制得的复合膜。现以采用化学方法处理者质量最佳。
CAS号：
性质：又称全氟羧酸-磺酸复合离子膜 Rf-COOH-Rf-SO3H 电解食盐水溶液离子膜电解槽所用的膜材料之一。使用时，将较薄的羧酸层面向阴极，较厚的磺酸层面向阳极，因而兼有羧酸膜和磺酸膜的优点。由于Rf-COOH层的存在，可阻挡氢氧离子返迁移到阳极室，确保了高的电流效率（96%），因Rf-SO3层的电阻低，能在高电流密度下运行，且阴极液可用盐酸中和，产品氯气中氧含量低，氢氧化钠浓度可达33%～35%。可在全氟磺酸膜上涂敷一层全氟羧酸的聚合物，或是将磺酸膜和羧酸膜进行层压，或是采用化学方法处理而制得的复合膜。现以采用化学方法处理者质量最佳。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条