1) helicon RF magnetron sputtering
交流螺旋磁控溅射
2) AC magnetron sputtering
交流磁控溅射
3) mid-frequency AC magnetron sputtering
中频交流磁控溅射
1.
Ag/TiO2 composite films were successfully prepared using a mid-frequency AC magnetron sputtering technique with pure Ti and Ag targets to increase photocatalytic efficiencies of TiO2 films.
为了提高TiO2薄膜的光催化效率,利用中频交流磁控溅射技术,采用Ti和Ag金属靶制备了Ag/TiO2复合薄膜。
4) mid-frequency alternative reactive magnetron sputtering
中频交流反应磁控溅射
1.
N-doped TiO2 films were prepared by mid-frequency alternative reactive magnetron sputtering.
用中频交流反应磁控溅射方法制备了N掺杂的TiO2薄膜。
5) DC magnetron co-sputtering
直流磁控共溅射
6) DC magnetron sputtering
直流磁控溅射
1.
Microstructures and Properties of Tantalum Film Grown by DC Magnetron Sputtering;
直流磁控溅射沉积钽膜的结构与性能研究
2.
Effects of thickness on microstructure and properties of Niobium films deposited by DC magnetron sputtering;
膜厚对直流磁控溅射Nb薄膜微结构的影响
3.
Optical and electrical properties of ITO thin films deposited by DC magnetron sputtering at room temperature;
室温直流磁控溅射制备ITO膜及光电性能研究
补充资料：磁控溅射
分子式：
CAS号：
性质：用一个环形永久磁体在乎板形靶上产生环形磁场，在磁场作用下，电子被约束在一个环状空间内，形成高密度的等离子环。在等离子环内，电子不断地使Ar原子变成Ar离子，Ar离子被加速后打向靶表面，把靶内的原子溅射出来，沉积在基片上形成薄膜。若靶材为导体，溅射电源可用直流或射频电源，如靶材是绝缘体，则必须用射频电源。用多源共溅射加后处理法可制备双面薄膜。将基片放置在靶中心线上，称为正轴溅射，基片放在靶轴线外；称为偏轴溅射。磁控溅射是广泛采用的制膜方法。
CAS号：
性质：用一个环形永久磁体在乎板形靶上产生环形磁场，在磁场作用下，电子被约束在一个环状空间内，形成高密度的等离子环。在等离子环内，电子不断地使Ar原子变成Ar离子，Ar离子被加速后打向靶表面，把靶内的原子溅射出来，沉积在基片上形成薄膜。若靶材为导体，溅射电源可用直流或射频电源，如靶材是绝缘体，则必须用射频电源。用多源共溅射加后处理法可制备双面薄膜。将基片放置在靶中心线上，称为正轴溅射，基片放在靶轴线外；称为偏轴溅射。磁控溅射是广泛采用的制膜方法。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条