2) silicon wafer
单晶硅片
1.
The contact stiffness,hardness and elastic modulus of silicon wafers were continuously measured during the loading por- tion of an indentation test by a nanoindenter apparatus with the continuous stiffness measurement technique.
利用纳米压痕仪通过连续刚度测量法对单晶硅片在压入过程中的接触刚度、硬度、弹性模量进行了连续测量。
2.
The contact pressure distribution between silicon wafer and polishing pad and the effect of the retaining ring on it wer.
为了获得单晶硅片化学机械抛光过程中护环对接触压强分布的影响规律,从有护环化学机械抛光实际出发,建立了抛光过程的接触力学模型和边界条件,利用有限元法对有护环抛光接触状态时的接触压强分布进行了计算和分析,并利用抛光实验对计算获得结果进行了验证。
3.
In order to obtain the effect of carrier film on contact pressure distribution in the chemical-mechanical polishing(CMP) of silicon wafer,a mechanism model and a boundary equation were set up,then the contact pressure distribution was calculated and analyzed by use of finite element method,and the calculated result was verified by polishing experiments.
为了获得单晶硅片化学机械抛光过程中背垫对接触压强分布的影响规律,建立了有背垫抛光过程的接触力学模型和边界条件,利用有限元方法进行了有背垫时的接触压强分布的计算与分析,并利用抛光实验对计算结果进行了验证,获得了硅片与抛光垫的接触表面压强分布形态,以及背垫的物理参数对压强分布的影响规律。
3) single crystal substrate
单晶基片
1.
The surface smoothness of the single crystal substrate will be the most important factor, which influences the quality of the epitaxial film growth.
单晶基片的表面光洁度指标是影响后续薄膜生长质量的重要因素。
4) monocrystalline silicon wafer
单晶硅片
1.
Phase transformations of grinding monocrystalline silicon wafer surfaces;
单晶硅片磨削的表面相变
2.
Study on the Surface Layer Damage of Monocrystalline Silicon Wafer Induced by Ultra-precision Grinding;
单晶硅片超精密磨削加工表面层损伤的研究
5) monolithic chip
单石晶片
6) Slice of SiC monocrystal
SiC单晶片
补充资料：单晶片的吸除技术
单晶片的吸除技术
gettering of semiconductor wafers
、刁门一侣勺I单晶片的吸除技术getteri雌of semiconductorwafers在远离硅片表面层的体内或背表面层人为地形成缺陷或损伤，吸除正表面层内的微缺陷和快扩散的重金属杂质，使表面层内既无缺陷又无有害金属杂质沾污的技术。又称吸杂技术。吸除技术可分为本征吸除(内吸除)和非本征吸除(外吸除)。 本征吸除又称氧的本征吸除。是由硅体内氧沉淀及其诱生缺陷产生吸除作用。氧在一定的热处理规范下发生成核、沉淀，控制沉淀的密度和空间分布可实现吸除。本征吸除技术广泛采用3步热处理;①高温处理，温度范围选为1050一1250℃，热处理时间2一6小时。氧外扩形成的贫氧层深度与热处理的温度、时间、环境气氛以及硅中氧含量有关。参数的选择应根据要求的DZ(无缺陷、无有害杂质的洁净区)宽度而定。②低温处理，温度为650一80此。热处理过程中，体内过饱和的氧将发生沉淀成核。氧沉淀的成核机制(同质成核或异质成核)、速率、尺寸，受硅中氧和碳的含量、硅片的热经历以及热处理温度的影响。热处理时间可以从几小时到十几小时或更长。表面层内因氧含量低，不发生氧的沉淀成核。③高温处理结合器件的具体工艺进行，温度在960一1250℃。此过程中氧沉淀长大，同时产生氧沉淀诱生的微缺陷如堆垛层错、位错等。用做本征吸除技术的硅片，要求氧的含量高于8.5xl017cm一3，即所谓的“中氧”或“高氧”含量的硅片。热处理的气氛可以是氢、氮或氧。多数实验表明，氮中加少量的氧效果较好。 非本征吸除对硅片背表面施加一定的处理，如背面打毛、离子注入、浓磷、硼扩散、淀积多晶硅层等，形成晶格损伤和应力，产生吸除。最简便、经济的是硅片背面喷砂打毛。采用适当粒度的磨料进行研磨均可产生吸除作用。但这种方法易引起沾污，而且重复性不好，难于控制。采用适当能量的激光照射硅片背面，形成的损伤和缺陷的吸除，效果优于机械损伤的硅片。在离子注入机上，用加速到一定能量的氢、氧、磷、硼、硅等离子轰击硅片背面，可以造成离子注入损伤、晶格缺陷，也具有吸杂作用。其中，以Ar+注入的效果最好。Ar十注入的能量约为200 keV，注入剂量为1016cm一2左右。离子注入后应在干燥氢气氛下退火30分钟，退火温度高于750℃。背面浓磷、硼的扩散以及含氯的氧化吸除技术多与具体的器件制造工艺结合。若选用硼吸除，可在外延工艺前在硅片背面扩散，扩散温度1000一1150oC，时间60一160分钟，表面浓度约10‘9cm一3，结深3一4群m。若用磷吸除，可在发射区、基区扩散前进行。用三氯氧磷(POC13)作源，在800℃扩散40分钟左右，表面浓度约1020cm一3，结深1 .7一2 .0尽m。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条