1) MgB_2 wires
MgB2超导线材
1.
Phase compositions, microstructure features, chemical components and critical current density (J_c) of the doped and the undoped MgB_2 wires are investigated by using X-ray diffractometer, scanning electron microscopy, energy dispersive spectrometer and the standard four-probe resistance technique, respectively.
以低碳钢管为包套材料,采用原位粉末套管法制备出5mol%TiB2掺杂的MgB2超导线材。
2) MgB2 superconducting bulk
MgB2超导块材
1.
The single phase MgB2 superconducting bulk was successfully synthesized by SHS ( Self-Propagating High-Temperature Synthesis) , method.
采用自蔓延(SHS)法成功制备了MgB2超导块材,样品单相性好,其临界温度Tc=38。
3) MgB_2/Fe superconducting material
MgB2/Fe超导材料
4) MgB 2 matrix superconductive material
MgB2基超导材料
5) MgB_2 superconductor
MgB2超导体
6) MgB2 superconductor
MgB2超导体
1.
Using Mg powder and B powder as the main raw materials,MgB2 superconductors were fabricated under different sintering methods.
以Mg粉和B粉为主要原料,采用两种烧结方法制备出MgB2超导体。
2.
In order to optimize sintering techniques and preparation excellent property of MgB2 superconductor which synthesized by solid reaction, we firstly clarify the reaction process and mechanism by differential thermal analysis(DTA) ,XRD and SEM.
为了进一步澄清采用固相反应法制备超导 MgB2中相的形成过程及其反应机理,以求达到优化低温烧结工艺、制备高品质MgB2超导体的目的,本文以高精度差热分析仪(DTA)为主要研究手段来监测块体MgB2制备反应进程;结合XRD及SEM的物相分析和组织观察发现,在纯镁熔化之前,Mg粉与B粉便已发生化学反应生成MgB2超导相,整个反应过程分为固-固和液-固两种截然不同的反应机制,熔点之前主要为受界面控制的固溶形核阶段,之后为析出长女阶段。
补充资料：超导线材的剩余电阻比测定
超导线材的剩余电阻比测定
measurement of residual resistance ratio in composite superconducting wire
试样图1剩余电阻比测定示意则测得的样品室温电阻值与低温下的电阻值之比为超导材料稳定化基材的剩余电阻比。国际上商品化的超导材料的剩余电阻比常在120一150。一般对于氢泡室、核磁共振人体成象装置等低场使用的超导磁体，对剩余电阻比的要求较高;而对于高场使用的超导磁体，对所使用的超导材料的剩余电阻比的要求则可以降低，因为此时磁场对铜、铝的电阻的影响将起主要作用。n 工n，一..1 ︵口甲。一X︶寰┌─┬───┬─┬─┬───┬──┬─┐│ │ │ │ │ │ │ │├─┼───┼─┼─┼───┼──┼─┤│ │洲 │ │ │J.训甲│声声│尸││ │ ├─┼─┼───┤ │ ││ │ │( │ │ │ │ │├─┼─┬─┼─┼─┼───┼──┼─┤│ │ │ │ │ │ │ │ │├─┼─┼─┼─┼─┼───┼──┼─┤│ │ │ │ │ │ │ │ │├─┼─┼─┼─┼─┼───┼──┼─┤│ │ │ │ │ │ │ │ │└─┴─┼─┼─┼─┼───┼──┼─┤ │. │ │ │ │ │ │ └─┴─┴─┴───┴──┴─┘12 16 20 24 28 32 温度(K、图2 NbTi样品电阻随温变化曲线(华崇远)超导线材的剩余电阻比测定measurement ofresidual resistance ratioin eomPosite supereonduet-ing wire超导线材在室温时的电阻率与在4 .ZK时电阻率之比，即肠。。K/脚.2K称为材料的剩余电阻比。 在金属和合金中，电阻是由晶格对于自由电子的散射所造成的，即电阻率可由如下公式表达 p=肠+p(T)式中第二项p(T)主要反映了晶格的振动对于电子散射的影响，是随温度而变化的。在室温时这一项占主要地位。第一项两反映了晶格的畸变对于电子散射的影响，它和晶格的位错及杂质元素等有关。随着温度降到液氦温度附近，第二项的作用趋于零，而第一项的作用占主要地位。结果金属的电阻呈现出不随温度而变化的特点，这就是剩余电阻。 由于在超导材料中磁通蠕动和局部的磁通跳跃是本征性的，不可避免的，为防止由此而引起的超导状态的碎灭，实用超导材料如NbTi、Nb3Sn等都需要在超导体外面覆以铜、铝等稳定化材料以增加超导体的稳定性。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条