1) doped under control
控制掺杂
2) doping controls
掺杂控制
1.
To achieve the anticipated advantages of QDIPs,it is necessary to optimize quantum-dots(QDs)growth conditions to make the dots smaller,more uniform and denser,and improve QDs doping controls and doping levels to get 1-2 electrons in one QD.
指出要实现量子点红外探测器的优势,必须优化量子点生长条件,让量子点更小、更均匀和密度更大;必须提高量子点的掺杂控制和掺杂水平,实现每个量子点中有1～2个电子;必须降低量子点生长中引入的应力,增加量子点有源区的层数;此外,还必须寻求新的量子点红外探测器结构。
3) ambience control doping
气氛控制掺杂
1.
Sulfur ions were added to cerium ion-doped silica by chemical doping and ambience control doping.
通过化学掺杂及气氛控制掺杂的手段对Ce3+–SiO2材料进行S2–掺杂改性,并对其光吸收和光致发光性能进行分析。
4) controlled doping
可控掺杂
1.
Research progress on controlled doping of organic semiconductive film by cosublimation;
共升华可控掺杂有机半导体薄膜材料的研究进展
5) doping control of semiconductors
半导体掺杂物控制
6) modulation-doped
调制掺杂
1.
The electron-sheet-density in the quantum well of Strain-Si modulation-doped NMOSFET(Metal-Oxide-Silicon Field Effect Transistor)affects switch performance.
应变Si(Strain Si)调制掺杂NMOSFET量子阱沟道中电子面密度直接影响器件的开关特性。
补充资料：反馈控制(见控制系统)
反馈控制(见控制系统)
feedback control
于。。伙。]伙ongZ片}反馈控制(几edbaekcontrol)见拉制系统。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条