1) Cu-induced layer
金属铜诱导层
1.
High-quality polycrystalline silicon films composed of large and uniform columnar grains with a moderate lateral grain size of ～1μm,vertical grain size of ～ 20μm and crystalline fraction(fc) over 95 % have been fabricated on glass substrates with metal Cu-induced layer by hot-wire chemical vapor deposition(HWCVD).
采用热丝化学气相沉积法(HWCVD),在金属铜诱导层上成功制备出横向晶粒尺寸在1μm左右、垂直晶粒尺寸达20μm的柱状多晶硅薄膜,其晶化率在95%以上。
2) metal induced
金属诱导
1.
This article presents the technology of Poly-Si films by metal induced crystallization,and discusses crystalline mechanism.
本文综述了金属诱导非晶硅薄膜进行低温晶化的研究,讨论了金属诱导法的晶化机理,分析了金属诱导晶化过程中的主要影响因素,对不同的金属诱导法进行比较,展望了金属诱导法的进一步发展。
2.
We developed a new process for low temperature crystallization of amorphous silicon films, by metal induced crystallization of amorphous silicon films at low temperature.
介绍了一种非晶硅薄膜低温晶化的新工艺———金属诱导非晶硅薄膜低温晶化。
3.
A novel technology for preparation of poly silicon films metal induced crystallization(MIC) of amorphous silicon films is introduced.
本文介绍了金属诱导晶化非晶态硅制备多晶硅薄膜的新方法 ,综述了制备金属 /非晶态硅复合薄膜的各种方法与晶化结果 ,着重介绍了金属低温诱导的机理及其在器件应用方面的可行
3) metal Ni induced
金属镍诱导
5) Copper as Base Metal
铜基层金属
6) metal inducing electroless plating
金属诱导化学镀
1.
The unsupported and supported NiCoB bimetal amorphous alloy catalysts were prepared by metal inducing electroless plating(MIEP) method.
采用金属诱导化学镀(MIEP)法分别制备了非负载型和负载型NiCoB双金属非晶态合金催化剂,并用XRDI、CP和TEM等方法表征了催化剂的结构、组成和形貌等。
补充资料：金属
分子式：
CAS号：
性质：具有特有的金属光泽以及良好导电导热性的固态或液态单质。在固态时还具有延展性。大多数元素是金属元素，其特性由元素原子结构和晶体内部结构决定：原子电负性小，吸引电子能力不大，聚集状态时电子流动性大；价层s、p电子少，常形成密堆集晶体结构，如立方面心密堆集、六方密堆集及体心立方堆砌结构。
CAS号：
性质：具有特有的金属光泽以及良好导电导热性的固态或液态单质。在固态时还具有延展性。大多数元素是金属元素，其特性由元素原子结构和晶体内部结构决定：原子电负性小，吸引电子能力不大，聚集状态时电子流动性大；价层s、p电子少，常形成密堆集晶体结构，如立方面心密堆集、六方密堆集及体心立方堆砌结构。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条