1) non-linear kinematic hardening
非线性随动强化
1.
A stress-strain constitutive equation of non-linear combined hardening rule was proposed based on non-linear kinematic hardening theory of Lemaitre and Chaboche,isotropic hardening and Mises yielding criterion.
基于Lemaitre and Chaboche非线性随动强化理论、等向强化和Mises屈服准则,建立了复杂加载模式下非线性混合强化材料模型的弹塑性应力应变本构关系,并采用Backward Euler切向预测径向返回算法计算应力应变增量。
2) multilinear kinematic hardening rules
多线性随动强化
1.
A simple sample with crack is analyzed on thermal fatigue applying finite element method and multilinear kinematic hardening rules of material, based on which the processes and rules of the thermal fatigue crack opening are studied.
用有限元方法并考虑材料的多线性随动强化性质对带有裂纹的简单试件模型进行热疲劳分析,研究热疲劳裂纹张开的过程和规律。
3) bilinear kinematic hardening
双线性随动强化
1.
A detailed study of the rules of stress and strain during the creep and thermal fatigue process is made by considering the bilinear kinematic hardening and creep characteristic of the material,and a method for life prediction is proposed by equaling the cr.
考虑材料的双线性随动强化和蠕变特性,深入研究了蠕变-热疲劳过程中应力和应变的规律。
4) strongly nonlinear stochastic dynamic systems
强非线性随机动力系统
1.
Application of homotopy technique with the parameter expansion to strongly nonlinear stochastic dynamic systems;
基于参数展开的同伦分析法在强非线性随机动力系统中的应用
5) noncontingent reinforcement
非依随性强化
1.
The purpose of this study were to assess the influnce of noncontingent reinforcement and task’s diffi.
本实验的目的是考察非依随性强化比率和任务难度对大学生采用自我妨碍行为的影响作用。
6) limit bending moment
非线性强化
1.
In the limit analysis of the beam, the authors got a formula of the limit bending moment by using the new model.
应用传统的极限分析理论，对可简化为刚塑性的材料本构关系提出了一种改进的“刚性－非线性强化”近似模型。
补充资料：半导体非线性光学材料
半导体非线性光学材料
semiconductor nonlinear optical materials
载流子传输非线性:载流子运动改变了内电场，从而导致材料折射率改变的二次非线性效应。④热致非线性:半导体材料热效应使半导体升温，导致禁带宽度变窄、吸收边红移和吸收系数变化而引起折射率变化的效应。此外，极性半导体材料大都具有很强的二次非线性极化率和较宽的红外透光波段，可以作为红外激光的倍频、电光和声光材料。 在量子阱或超晶格材料中，载流子的运动一维限制使之产生量子尺寸效应，使载流子能态分布量子化，并产生强烈的二维激子效应。该二维体系材料中激子束缚能可达体材料的4倍，因此在室温就能表现出与激子有关的光学非线性。此外，外加电场很容易引起量子能态的显著变化，从而产生如量子限制斯塔克效应等独特的光学非线性效应。特别是一些11一VI族半导体，如Znse/ZnS超晶格中激子束缚能非常高，与GaAs/AIGaAs等m一V族超晶格相比，其激子的光学非线性可以得到更广泛的应用。 半导体量子阱、超晶格器件具有耗能低、适用性强、集成度高和速度快等优点，以及系统性强和并行处理的特点。因此有希望制作成光电子技术中光电集成器件，如各种光调制器、光开关、相位调制器、光双稳器件及复合功能的激光器件和光探测器等。 种类半导体非线性光学材料主要有以下4种。 ①111一V族半导体块材料:GaAs、InP、Gasb等为窄禁带半导体，吸收边在近红外区。 ②n一巩族半导体量子阱超晶格材料:HgTe、CdTe等为窄禁带半导体，禁带宽度接近零;Znse、ZnS等为宽禁带半导体，吸收带边在蓝绿光波段。Znse/ZnS、ZnMnse/ZnS等为蓝绿光波段非线性光学材料。 ③111一V族半导体量子阱超晶格材料:有GaAs/AIGaAs、GalnAs/AllnAs、GalnAs/InP、GalnAs/GaAssb、GalnP/GaAs。根据两种材料能带排列情况，将超晶格分为I型(跨立型)、n型(破隙型)、llA型(错开型)3种。 现状和发展超晶格的概念是1969年日本科学家江崎玲放奈和华裔科学家朱兆祥提出的。其二维量子阱中基态自由激子的非线性吸收、非线性折射及有关的电场效应是目前非线性集成光学的重要元件。其制备工艺都采用先进的外延技术完成。如分子束外延(MBE)、金属有机化学气相沉积(MOCVD或MOVPE)、化学束外延(CBE)、金属有机分子束外延(MOMBD、气体源分子束外延(GSMBE)、原子层外延(ALE)等技术，能够满足高精度的组分和原子级厚度控制的要求，适合制作异质界面清晰的外延材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条