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1)  noncontingent reinforcement
非随因强化
2)  contingent reinforcement
随因强化
3)  non-linear kinematic hardening
非线性随动强化
1.
A stress-strain constitutive equation of non-linear combined hardening rule was proposed based on non-linear kinematic hardening theory of Lemaitre and Chaboche,isotropic hardening and Mises yielding criterion.
基于Lemaitre and Chaboche非线性随动强化理论、等向强化和Mises屈服准则,建立了复杂加载模式下非线性混合强化材料模型的弹塑性应力应变本构关系,并采用Backward Euler切向预测径向返回算法计算应力应变增量。
4)  noncontingent reinforcement
非依随性强化
1.
The purpose of this study were to assess the influnce of noncontingent reinforcement and task’s diffi.
本实验的目的是考察非依随性强化比率和任务难度对大学生采用自我妨碍行为的影响作用。
5)  chance contingency of reinforcement
机遇随因强化
6)  kinematic hardening
随动强化
1.
Numerical algorithm of plasticity with superposed A-F kinematic hardening rule;
叠加型A-F类随动强化模型塑性应变的数值计算法
2.
To theoretically investigate the influence of Bauschinger effect on springback in sheet metal stretch bending,the constitution relation of a kinematic hardening was used to determine the stress distributions of stretch bending by numerical calculation,so that the springback was calculated.
为从理论上研究包辛格效应对板材拉弯回弹的影响,利用随动强化本构方程,采用数值方法,确定拉弯的应力分布,由此计算回弹,并与按等向强化本构方程计算的结果加以比较,根据应力分布的特点,分析包氏效应对拉弯回弹的作用。
3.
The elastoplastic constitutive formulas are deduced based on the scalar damage variables with the kinematic hardening effects of concrete.
混凝土三参数统一强度理论在Haigh-Westgaard空间的偏平面上的边界线为十二边形,通过调整中间主应力的影响系数消除角点的奇异性,根据相关流动准则推导基于标量损伤的弹塑性本构方程,考虑了混凝土材料的随动强化效应,结合塑性损伤理论给出了应力计算的数值方法,编制了相应的Fortran语言程序,并将其用于钢管混凝土构件承载能力的计算,计算结果验证了所用模型的预测能力。
补充资料:半导体非线性光学材料


半导体非线性光学材料
semiconductor nonlinear optical materials

载流子传输非线性:载流子运动改变了内电场,从而导致材料折射率改变的二次非线性效应。④热致非线性:半导体材料热效应使半导体升温,导致禁带宽度变窄、吸收边红移和吸收系数变化而引起折射率变化的效应。此外,极性半导体材料大都具有很强的二次非线性极化率和较宽的红外透光波段,可以作为红外激光的倍频、电光和声光材料。 在量子阱或超晶格材料中,载流子的运动一维限制使之产生量子尺寸效应,使载流子能态分布量子化,并产生强烈的二维激子效应。该二维体系材料中激子束缚能可达体材料的4倍,因此在室温就能表现出与激子有关的光学非线性。此外,外加电场很容易引起量子能态的显著变化,从而产生如量子限制斯塔克效应等独特的光学非线性效应。特别是一些11一VI族半导体,如Znse/ZnS超晶格中激子束缚能非常高,与GaAs/AIGaAs等m一V族超晶格相比,其激子的光学非线性可以得到更广泛的应用。 半导体量子阱、超晶格器件具有耗能低、适用性强、集成度高和速度快等优点,以及系统性强和并行处理的特点。因此有希望制作成光电子技术中光电集成器件,如各种光调制器、光开关、相位调制器、光双稳器件及复合功能的激光器件和光探测器等。 种类半导体非线性光学材料主要有以下4种。 ①111一V族半导体块材料:GaAs、InP、Gasb等为窄禁带半导体,吸收边在近红外区。 ②n一巩族半导体量子阱超晶格材料:HgTe、CdTe等为窄禁带半导体,禁带宽度接近零;Znse、ZnS等为宽禁带半导体,吸收带边在蓝绿光波段。Znse/ZnS、ZnMnse/ZnS等为蓝绿光波段非线性光学材料。 ③111一V族半导体量子阱超晶格材料:有GaAs/AIGaAs、GalnAs/AllnAs、GalnAs/InP、GalnAs/GaAssb、GalnP/GaAs。根据两种材料能带排列情况,将超晶格分为I型(跨立型)、n型(破隙型)、llA型(错开型)3种。 现状和发展超晶格的概念是1969年日本科学家江崎玲放奈和华裔科学家朱兆祥提出的。其二维量子阱中基态自由激子的非线性吸收、非线性折射及有关的电场效应是目前非线性集成光学的重要元件。其制备工艺都采用先进的外延技术完成。如分子束外延(MBE)、金属有机化学气相沉积(MOCVD或MOVPE)、化学束外延(CBE)、金属有机分子束外延(MOMBD、气体源分子束外延(GSMBE)、原子层外延(ALE)等技术,能够满足高精度的组分和原子级厚度控制的要求,适合制作异质界面清晰的外延材料。
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参考词条