1)  Al3+ doping
Al3+掺杂
1.
ZnO:Al (ZAO) thin films with different proportion of Al3+ doping are prepared by sol-gel method.
通过分析比较,得出所制备的ZAO薄膜为多晶纤锌矿结构,薄膜表面平整、晶粒致密均匀;Al3+掺杂能提高其导电性能:低掺杂时,薄膜在紫外-可见光范围的透过率超过80%,并伴有蓝移现象产生;高掺杂时,其透过率无明显增加,但蓝移现象加剧,最大蓝移量达340nm。
2)  Al3+-doped silica gel
Al3+掺杂硅胶
1.
The adsorption performance of rotary dehumidifier using Al3+-doped silica gel was investigated by simulating results and experimental data.
陶瓷纤维纸经水玻璃、铝盐溶液等浸渍及调节溶液pH值得到新型高吸附性能Al3+掺杂硅胶吸附材料。
3)  aluminum
Al
1.
Effects of ferric oxide removal on adsorption and desorption of aluminum in soils;
去除氧化铁对Al在土壤中吸附-解吸的影响
2.
Studies on marine biogeochemistry of aluminum;
Al的海洋生物地球化学研究
3.
The Impacts of Aluminum on the Abnormal Aggregation of R3 Peptide of Tau Protein and Its Mechanism;
Al离子对tau蛋白R3多肽异常聚集的影响及其机理
4)  Al
Al
1.
EAM CALCULATION OF FORMATION ENTHALPIES OF Al,Li AND Mg(Ti) INTERMETALLIC COMPOUNDS;
Al-Li-Mg(Ti)合金形成焓的EAM研究
2.
ICP-AES Determination of Mn,Si,Al,Ti,Nb,La in Ultrahigh Strength Steel;
ICP-AES法测定超高强度钢中Mn,Si,Al,Ti,Nb,La杂质元素
3.
Effects of Al and Ca Additions on Microstructure and Creep Properties of Magnesium Alloys;
Al,Ca元素对镁合金显微组织及蠕变性能的影响
5)  Aluminium
Al
1.
Sodium attack of both aluminium (99.
本文研究了纯Al及Al－12％Si合金在液态Na中的腐蚀特性。
2.
The effectiveness of the self grain refinement of aluminium is equal to that of amaster Al-Ti-B added in the aluminium.
本文介绍了一种金属晶粒细化的新工艺，即利用金属本身已有的非自发形核潜力，使Al，Cu，Sb晶粒细化探讨了金属自身激冷薄片的冷却速度、加入量、保温时间对晶粒细化效果的影响。
3.
The direct nitridation of the aluminium powders in nitrogen atmosphere under isothermal conditions was studied.
通过同步热分析(simultaneous thermal analysis, STA)分析了 Al 在非高压氮气气氛下(压力0。
6)  Time limits demarcaton of Al_a
Al_a
参考词条
补充资料：半导体材料掺杂


半导体材料掺杂
doping for semiconductor material

bondootl Col}{00 ehonzo半导体材料掺杂(doping for semiconduCtormaterial)对材料掺入特定的杂质以取得预期的物理性能与参数的半导体材料制备方法，在大多数情况下，是使用掺杂后的半导体材料进行器件制备。掺杂的具体目的有:(l)获得预期的导电类型，如p型掺杂或n型(见半导体材料导电机理)掺杂;(2)获得预期的电阻率、载流子浓度(见半导体材料导电机理)，如重掺单晶(见简并半导体)、半绝缘砷化稼的制备;(3)获得低的少子寿命(见半导体材料导电机理)，如锗中掺金;(4)获得晶体的良好力学性能，如硅中掺氮;(5)提高发光效率，改变发光波长，如磷化稼中掺氮、掺氧(见发光用半导体材料);(6)形成低维材料及超晶格(见半导体超晶格);(7)调整晶格匹配，如硅中掺锡。 对掺杂的要求主要是:精度、均匀性、分布空间。掺杂的方法有熔体掺杂、气相掺杂、中子擅变掺杂、离子注入掺杂、表面涂覆掺杂(见区熔硅单晶)。掺杂是在半导体材料制备过程的某一个或几个工序中进行，大多数是在单晶拉制过程中进行掺杂，薄膜材料则在薄膜制备过程中进行掺杂，而中子擅变掺杂、离子注入掺杂则离开晶体制备而成为独立的工序。 (万群)
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。