1) Czochralski method
提拉法生长
1.
Cadmium gadolinium tungstate [CdGd_2(WO_4)_4,CGW] single crystal was grown by the Czochralski method.
采用提拉法生长了钨酸钆镉[CdGd_2(WO_)_4,CGW]单晶。
2) Czochralski crystal growth
提拉法晶体生长
1.
What this paper study including: (1) In the Czochralski crystal growth process, thermal radiation is one of the main method of heat transfer, the radiation transfer between surfaces takes the principle actor as the gas in the furnace has less affect in radiation process.
本文针对提拉法晶体生长全局特点,研究内容包括以下几个方面:(1)在提拉法晶体生长过程中,辐射换热将在热量传递过程中起主要作用,气体介质参与辐射传热作用很小,主要表现为表面之间的辐射换热。
3) growth by Cz method
直拉法生长
1.
This paper introduces the basic principle and process conditions of single crystal silicon growth by Cz method.
介绍了直拉法生长单晶硅的基本原理及工艺条件。
4) Czochralski method
提拉法
1.
Growth of large Ti~(3+):BeAl_2O_4 laser crystals by Czochralski method
大尺寸掺钛铝酸铍(Ti~(3+):BeAl_2O_4)激光晶体的提拉法生长
2.
Tetragonal scheelite-type cadmium gadolinium tungstate CdGd2(WO4)4, CGW single crystal was grown by the Czochralski method.
用提拉法生长了四方晶系白钨矿结构的钨酸钆镉[CdGd2(WO4)4,CGW]晶体。
3.
GdVO4 single crystals weighted more than 50g along a-axis and c-axis were grown by Czochralski method.
采用提拉法沿a轴和c轴生长出无色透明的GdVO4单晶,质量均超过50g。
5) Czochralski
提拉法
1.
Modeling of Czochralski Single Crystal Growth Process Using Neural Network;
基于神经网络的提拉法钛单晶生长过程建模
2.
Single Crystal Growth of LiGaO_2 by Czochralski Method and Defects Characterization;
提拉法生长镓酸锂晶体及缺陷研究
3.
Nd:YAP and Tm:YAP crystal of b axis were grown by the Czochralski method,and the problem of crack was resolved by the optimum of thermal field,technical parameters of growth and cutting process.
采用提拉法生长了b轴方向的掺钕和掺铥铝酸钇(Nd:YAP和Tm:YAP)晶体,通过温场系统、生长工艺参数和切割工艺的优化,克服了晶体开裂的问题,晶体直径达到46mm;通过真空退火工艺,既显著减轻了紫外和可见区的色心吸收,又减小了晶体的应力,有助于克服晶体在加工过程中的开裂问题。
6) CZ method
提拉法
1.
A high quality sapphire with directions of[a-axis] and [0001][c-axis] was grown by CZ method.
本实验采用提拉法,在中频感应加热单晶炉内,进行了不同生长方向蓝宝石晶体的生长工作,分别取[11-20]和[0001]生长的晶体c面(0001)的晶片。
2.
A Nd: GGG crystal was grown by CZ method.
本文采用提拉法(CZ)生长了Nd:GGG晶体,并从理论上讨论了包裹物、提拉速度、晶体转速和降温速率等因素对晶体开裂的影响,最后给出了生长无开裂Nd:GGG晶体的最佳工艺参数:径向温度梯度越小越好,纵向温度梯度在0。
3.
Large size PbWO4 crystal ingots 35 mm×250 mm with no macro-defects by CZ method with RF h eating had been produced,and these ingots' impurity,defects and lengthways tra nsparency could be avoided.
用中频感应加热提拉法成功地生长了无宏观缺陷的大尺寸钨酸铅晶体(PWO),其晶体尺寸为35mm×250mm;确定了晶体生长工艺,其参数为籽晶取向犤001犦、提拉速度1。
补充资料：提拉法
分子式：
CAS号：
性质：一种生长单晶的常用方法。将生长晶体用的材料置于适当的坩埚中加热熔融，使熔体保持在略高于材料熔点的温度下。将固定在拉杆上的籽晶与熔体表面接触，拉杆在不停地旋转中缓缓地向上提升。拉杆的散热作用使子晶上产生一定的温度梯度，促使熔体在晶体的下端不断地结晶。这种方法可以直接观测到晶体的生长过程，并可以通过调整各种条件得到大尺寸的单晶体。很多重要的无机固体材料的单晶体都可以利用这种方法制造，特别适合于生产大尺寸的技术晶体。
CAS号：
性质：一种生长单晶的常用方法。将生长晶体用的材料置于适当的坩埚中加热熔融，使熔体保持在略高于材料熔点的温度下。将固定在拉杆上的籽晶与熔体表面接触，拉杆在不停地旋转中缓缓地向上提升。拉杆的散热作用使子晶上产生一定的温度梯度，促使熔体在晶体的下端不断地结晶。这种方法可以直接观测到晶体的生长过程，并可以通过调整各种条件得到大尺寸的单晶体。很多重要的无机固体材料的单晶体都可以利用这种方法制造，特别适合于生产大尺寸的技术晶体。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条