1) Czochralski(CZ) method
提拉(CZ)法
2) Cz method
Cz法
1.
The production techniques included CZ method, casting techniques, Directional solidification techniques, Stepanov method, Rotating disk method, Stockbargar method and seeded vertical gradient freeze method.
介绍了美国、独联体、日本、比利时和以色列用于 8～ 1 2 μm红外系的锗晶体的生产方法 ,包括CZ法、定向结晶法、铸造法、斯捷潘诺夫法、旋转晶片法、斯拉克巴杰法和籽晶垂直梯度凝固法。
3) Czochralski method
CZ法
1.
The effects of growth parameters, such as temperature gradient, pulling rate and rotation rate, on the quality of TeO 2 crystals grown by Czochralski method were studied in this paper.
本文主要讨论CZ法生长TeO2 晶体中温度梯度、拉速、转速等工艺参数对晶体质量的影响 ,分析了晶体开裂、包裹物等宏观缺陷以及位错等微观缺陷的形成机理。
2.
Therefore, in this paper, two directional solidification methods, Czochralski method and electron-beam floating zone melting method, were used to obtain such material.
本文采用切克拉斯基法(CZ法)和电子束区熔法(EBFZM)两种定向凝固方法制备该共晶自生复合材料；借助金相技术、电镜技术、图象处理技术等多种分析测试手段，考察了Si-TaSi_2共晶定向凝固组织和及其相应的工艺规范。
4) Cz(Czochralski) method
Cz方法
5) high pressure Czochralski method
高压CZ 法
6) recharge CZ method
再补充CZ 法
补充资料：提拉法
分子式：
CAS号：
性质：一种生长单晶的常用方法。将生长晶体用的材料置于适当的坩埚中加热熔融，使熔体保持在略高于材料熔点的温度下。将固定在拉杆上的籽晶与熔体表面接触，拉杆在不停地旋转中缓缓地向上提升。拉杆的散热作用使子晶上产生一定的温度梯度，促使熔体在晶体的下端不断地结晶。这种方法可以直接观测到晶体的生长过程，并可以通过调整各种条件得到大尺寸的单晶体。很多重要的无机固体材料的单晶体都可以利用这种方法制造，特别适合于生产大尺寸的技术晶体。
CAS号：
性质：一种生长单晶的常用方法。将生长晶体用的材料置于适当的坩埚中加热熔融，使熔体保持在略高于材料熔点的温度下。将固定在拉杆上的籽晶与熔体表面接触，拉杆在不停地旋转中缓缓地向上提升。拉杆的散热作用使子晶上产生一定的温度梯度，促使熔体在晶体的下端不断地结晶。这种方法可以直接观测到晶体的生长过程，并可以通过调整各种条件得到大尺寸的单晶体。很多重要的无机固体材料的单晶体都可以利用这种方法制造，特别适合于生产大尺寸的技术晶体。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条