1) pulling growth
拉制生长
2) Czochralski method
提拉法生长
1.
Cadmium gadolinium tungstate [CdGd_2(WO_4)_4,CGW] single crystal was grown by the Czochralski method.
采用提拉法生长了钨酸钆镉[CdGd_2(WO_)_4,CGW]单晶。
3) spin-pull growth
旋拉生长<冶>
4) growth by Cz method
直拉法生长
1.
This paper introduces the basic principle and process conditions of single crystal silicon growth by Cz method.
介绍了直拉法生长单晶硅的基本原理及工艺条件。
5) elongated hillocks
拉长的生长丘
6) growth mechanism
生长机制
1.
Synthesis,characterization and growth mechanism of Cu-doped ZnO nanohorns;
Cu掺杂的ZnO纳米号角的制备、表征和生长机制
2.
Studies on surface roughness and growth mechanisms of microcrystalline silicon films by grazing incidence X-ray reflectivity;
微晶硅薄膜的表面粗糙度及其生长机制的X射线掠角反射研究
3.
Study on growth mechanism of low-temperature prepared microcrystalline Si thin films;
低温制备微晶硅薄膜生长机制的研究
补充资料：提拉法
分子式：
CAS号：
性质：一种生长单晶的常用方法。将生长晶体用的材料置于适当的坩埚中加热熔融，使熔体保持在略高于材料熔点的温度下。将固定在拉杆上的籽晶与熔体表面接触，拉杆在不停地旋转中缓缓地向上提升。拉杆的散热作用使子晶上产生一定的温度梯度，促使熔体在晶体的下端不断地结晶。这种方法可以直接观测到晶体的生长过程，并可以通过调整各种条件得到大尺寸的单晶体。很多重要的无机固体材料的单晶体都可以利用这种方法制造，特别适合于生产大尺寸的技术晶体。
CAS号：
性质：一种生长单晶的常用方法。将生长晶体用的材料置于适当的坩埚中加热熔融，使熔体保持在略高于材料熔点的温度下。将固定在拉杆上的籽晶与熔体表面接触，拉杆在不停地旋转中缓缓地向上提升。拉杆的散热作用使子晶上产生一定的温度梯度，促使熔体在晶体的下端不断地结晶。这种方法可以直接观测到晶体的生长过程，并可以通过调整各种条件得到大尺寸的单晶体。很多重要的无机固体材料的单晶体都可以利用这种方法制造，特别适合于生产大尺寸的技术晶体。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条