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1)  amorphous silicon solar cells
非晶硅电池
1.
After single junction(glass/SnO2/pin/) and tandem(glass/SnO2/pin/pin/) amorphous silicon solar cells were prepared.
然后在单结(glass/SnO2/pin/)或双结(glass/SnO2/pin/pin/)非晶硅电池上沉积约70~100nm厚的ZnO透明导电膜,最后再用电阻蒸发法沉积Al电极。
2)  amorphous silicon solar cell
非晶硅太阳电池
1.
The influence of light trapping, thickness and gap-state density of i-layer on the performance of a-Si and a-Si/a-Si solar cells were studied using optimized light trapping structure and simulating software for amorphous silicon solar cells.
本文利用优化的陷光结构和非晶硅太阳电池模拟软件模拟计算了陷光结构、本征吸收层厚度和隙态密度对a-Si单结、a-Si/a-Si叠层电池性能的影响。
3)  a-Si solar cell
非晶硅太阳电池
1.
And a-Si solar cell, whose Voc is 0.
利用射频等离子增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,研究了氢稀释对非晶硅太阳电池开路电压和稳定性的影响。
4)  thin-film amorphous silicon cell
薄膜非晶硅电池
5)  "micromorph" tandem solar cell
非晶硅/微晶硅叠层电池
1.
Pin/pin "micromorph" tandem solar cells were deposited by very high frequency plasma enhanced chemical vapor deposition(VHF-PECVD).
采用超高频等离子增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术,逐次高速沉积非晶硅顶电池及微晶硅底电池,形成pin/pin型非晶硅/微晶硅叠层电池。
6)  a-Si:H/μc-Si:H tandem solar cells
非晶/微晶硅叠层电池
补充资料:非晶硅太阳能电池材料
分子式:
CAS号:

性质: 原子排列短程有序而长程无序的硅材料。只有能隙中定域密度小于1016~1017eV的非晶硅才可作太阳能电池。具有较高的光吸收系数,但光电性有退化现象。用于制作毫瓦级、非阳光直接曝晒的场合,如手表、计算器等的电池。

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