2) amorphous silicon thin-film transistor (a-Si:H TFT)
非晶硅薄膜晶体管(a-Si TFT)
3) crystalline-silicon TFT
水晶硅TFT
4) polycrystalline silicon (poly-Si) thin film transistors (TFTs)
多晶硅TFT
1.
Device degradation of solution-based metal-induced laterally crystallized (MILC) p-type polycrystalline silicon (poly-Si) thin film transistors (TFTs) is studied under dc bias stresses.
晶粒间界(Grain Boundary, GB)缺陷态的产生和NBTI退化具有相同的时间幂指数n,表明了在多晶硅TFT的退化中晶界缺陷态的产生起着关键作用。
5) poly-si TFT circuits
多晶硅TFT电路
补充资料：非晶硅太阳能电池材料
分子式：
CAS号：
性质： 原子排列短程有序而长程无序的硅材料。只有能隙中定域密度小于1016～1017eV的非晶硅才可作太阳能电池。具有较高的光吸收系数，但光电性有退化现象。用于制作毫瓦级、非阳光直接曝晒的场合，如手表、计算器等的电池。
CAS号：
性质： 原子排列短程有序而长程无序的硅材料。只有能隙中定域密度小于1016～1017eV的非晶硅才可作太阳能电池。具有较高的光吸收系数，但光电性有退化现象。用于制作毫瓦级、非阳光直接曝晒的场合，如手表、计算器等的电池。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条