1) Joseite-B
硫碲铋矿 B
2) joseite A
硫碲铋矿A
3) joseite
[ʒə'ʒei,ait]
硫碲铋矿
4) ingodite
因硫碲铋矿
1.
Electron microprobe analysis has proved that one is tetradymite and the other is produced in Huanglong,both being well consistent with the standard ingodite in composition.
在陕西黄龙金矿发现了多粒碲铋矿物,根据电子探针分析数据,其中有几粒的成分与因硫碲铋矿相近,颗粒大小为十几到几十微米,与黄铁矿、闪锌矿、赤铁矿等共生。
5) buckhornite
硫碲铋铅金矿
6) belite
['bi:lait]
B矿
1.
Characteristics of crystal morphology for Alite and belite in Portland Cement Clinker;
硅酸盐水泥熟料中A矿和B矿的晶体形貌特征
2.
The effect of several rare_earth oxides on the crystal properties of belite and its hydration characteristics were investigated by means of chemical analysis,XRD,SEM,DTA etc.
运用化学分析、XRD、SEM、DTA等测试方法 ,研究了稀土氧化物对B矿的晶体性质及其水化性能的影响 。
补充资料：碲化铋晶体
分子式：Bi2Te3
CAS号：
性质：周期表第V,VI族元素化合物半导体。三角晶，原胞为菱形六面体，晶格常数1.0473nm，密度7.8587g/cm3。熔点575℃。由共价键结合，有一定离子键成分。为间接带隙半导体，室温禁带宽度0.145eV，电子和空穴迁移率分别为0.135和4.4×10-2m2/(V·s)，温差电优质系数1.6×10-3/K。采用布里奇曼法、区域熔炼法、直拉法制备。为良好的温差材料。
CAS号：
性质：周期表第V,VI族元素化合物半导体。三角晶，原胞为菱形六面体，晶格常数1.0473nm，密度7.8587g/cm3。熔点575℃。由共价键结合，有一定离子键成分。为间接带隙半导体，室温禁带宽度0.145eV，电子和空穴迁移率分别为0.135和4.4×10-2m2/(V·s)，温差电优质系数1.6×10-3/K。采用布里奇曼法、区域熔炼法、直拉法制备。为良好的温差材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条